Производительный Intel Core i7 8700K для мощных систем
Корейская Samsung официально объявила о начале серийного производства высокопроизводительной 96-слойной памяти 3D V-NAND, значительно превосходящей предыдущее поколение 64-слойной памяти.
Компании удалось на 20% уменьшить высоту каждого слоя при одновременном снижении перекрестных помех. Она стала первой в отрасли памятью, использующей интерфейс Toggle DDR 4.0, заметно увеличивающий скорость передачи данных между накопителем и памятью. Так, новая 256-Гбит память V-NAND обеспечивает скорость работы до 1,4 Гбит/с – на 40% выше по сравнению с предыдущим поколении 64-слойной памяти.
Более того, пятое поколение памяти 3D V-NAND обеспечивает 30-процентное сокращение времени задержки записи, которое теперь составляет всего 500 мкс, а время реакции памяти при чтении упало до 50 мкс. Не менее важно и сниженное с 1,8 до 1,2 В рабочее напряжение памяти. Как итог, лучшая энергоэффективность по сравнению с предыдущим поколением.
В Samsung планируют продолжить наращивать объёмы производства чипов V-NAND памяти пятого поколения, подчёркивая, что они будут востребованы на рынке потребительских и корпоративных SSD. А первыми продуктами, поступившими в серийное производство стали 256-Гбит чипы 3D V-NAND TLC.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор и тест Silicon Power Bolt B80. Шикарный алюминиевый корпус, минимальные габариты и вес, защита от воды и пыли почти максимального уровня, защита от ударов, порт USB Type-C, работающий по протоколу USB 3.1 Gen 2 — всё это безусловные плюсы Bolt B80. Подробнее об этом читайте в статье “Silicon Power Bolt B80: обзор и тест портативного SSD”.
