THG.RU | \"Поиск\" Поиск \"Поиск\" | Новости | Видеокарты | Процессоры | Материнские платы | Мониторы | Аудио/видео | HDD и CD/DVD | Собери сам | Игры | Софт | Домашний ПК


Клуб экспертов THG.ru   

Вернуться   Клуб экспертов THG.ru > Персональные компьютеры. Компьютерное и серверное железо. > Оперативная память > FAQ. Оперативная память.

Регистрация Правила форума FAQ форума Справка Пользователи Поиск Сообщения за день Все разделы прочитаны

 
 
Опции темы Опции просмотра
Старый 01.03.2010, 04:56   #1
Меню пользователя Rikimaru
Ветеран клуба THG
  
Post FAQ. Тайминги памяти

Тайминги - это задержки, возникающие при операциях доступа к содержимому памяти. Подобные задержки также ещё называют латентностью.

Обычно на памяти (или в спецификации к ней) есть надпись вида 5-5-5-15 (например).
Это сокращённая запись (так называемая схема таймингов) основных таймингов памяти
CAS Latency - RAS to CAS Delay - Row Precharge Time - Active to Precharge Delay

CAS Latency (tCL, CL) - число циклов тактового сигнала между командой на чтение и началом считывания;
RAS to CAS Delay (tRCD, Trcd, RCD) - интервал в циклах тактового сигнала между сигналом RAS# (Row Address Strobe) и сигналом CAS# (Column Address Strobe), необходимый по причине задержки после подачи сигнала RAS# на активацию строки или это интервал между командой активации и командой чтения/записи;
Row Precharge Time (tRP, RAS Precharge Time, Trp, RP) - время, необходимое на закрытие строки банка памяти или минимальное время между закрытием строки и активацией новой строки (в циклах тактового сигнала);
Active to Precharge Delay (tRAS, Min RAS Active Time, Precharge Wait State, Row Active Delay, Tras) - параметр определяет минимальное время активности строки (в циклах тактового сигнала) от момента её активации до её закрытия - подачи сигнала предварительного заряда банка (Precharge).
Более подробно http://people.overclockers.ru/antinomy/record4

--------------------------------------------
Различают реальную и эффективную частоту памяти.
Для памяти DDR SDRAM эффективная частота в два раза выше реальной.
Считается следующим образом:
Реальная частота памяти (МГц) = 1000/TCk;
Эффективная частота памяти (МГц) = 2000/TCk.

TCk - период одного такта, измеряется в нс. Именно он и определяет частоту памяти.
TCk = 1000/Реальная частота памяти.

Теперь сравним величину задержек памяти.
Величина задержки (нс) = TCk*CL
DDR-333, CL2 = (1000/166)*2 = 12 (нс)
DDR-400, CL3 = (1000/200)*3 = 15 (нс)
DDR2-667, CL4 = (1000/333)*4 = 12 (нс)
DDR2-800, CL5 = (1000/400)*5 = 12,5 (нс)
DDR2-800, CL6 = (1000/400)*6 = 15 (нс)
DDR3-1066, CL7 = (1000/533)*7 = 13,1 (нс)
DDR3-1333, CL9 = (1000/666)*9 = 13,5 (нс)

Таким образом, разница в величине задержки крайне мала.

См. также: Изучение влияния частоты и таймингов памяти на примере платформы LGA1156

Последний раз редактировалось Rikimaru, 14.03.2013 в 01:31.
Rikimaru вне форума  
 


Здесь присутствуют: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)
 
Опции темы
Опции просмотра

Ваши права в разделе
Вы не можете создавать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете прикреплять файлы
Вы не можете редактировать сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.
Быстрый переход


Справочник словарей
Словари русского языка - www.gramota.ru Яndex - Словари Википедия - ru.wikipedia.org

Часовой пояс GMT +4, время: 05:08.


Powered by: vBulletin, ©2000 - 2007, Jelsoft Enterprises Limited.
Перевод: zCarot
Распространение информации возможно только с письменного разрешения администрации издания.

THG.ru ("Русский Tom's Hardware Guide") входит в международную сеть TG Publishing

РЕКЛАМА

Rambler's Top100 Рейтинг@Mail.ru