Разгон оперативной памяти.

[prudovik]

Сообщение от karats

Я не понял чего там в этом ролике удивительного, меня больше удивляет что у меня память взяла 3400 на 1.2, мне на оверах тогда говорили что при таком вольтаже не факт что выше 2800-2933 пойдёт

Удивительного в том ролике то, что полтора года назад, когда снимался ролик, память B-die с трудом брала 3200 на двух планках, а С-die строями уходила на 3600 на разных камнях и платах в парах и на 3333 в наборе из 4-х планок. Причем это касается и двусторнних на 16 ГБ.

Твоя память взяла на 1,2 - повезло с планками, но, в целом, Самсунгу и не нужно высокое напряжение. С-die спокойно работает на 1,25-1,3 В на 3600.

[karats]

prudovik,
Понял, повезло не сильно cas ниже 18-и не стабилен с любым вольтажом даже на 3200, остальные можно понизить до 17-и но я не стал.

[prudovik]

karats, это все равно хороший результат.

[karats]

Вечером по колдую ещё с калькулятором памяти может чего добьюсь, это я пока на вскидку ставил и много что в авто.

[karats]

Наврал насчёт таймингом, с вольтажем 1.35 берет 16-17-17, короче получаю, отпишу о результатах

[prudovik]

karats, поиграйся с напругой. Заметил, что Самсунг не особо любит завышенное напряжение в разгоне. У меня были случаи, когда память была стабильна на 1,28-1,3 и начинала подглючивать на 1,35

[karats]

prudovik,
Калькулятор выше 3466 выставить не даёт, поставил все тайминги по нему, 1.35 напряжение и soc 1.05, пока все стабильно, как без этого калькулятора выше погнать, я не понимаю пока, там они друг с другом все завязаны, нельзя выставить лишь важные, будет куча подводных камней типа фризов.

Добавлено через 4 минуты
И да, cas 17 сбрасывает на 18 всегда, так что либо 16 либо 18

[prudovik]

karats, насколько приперло ужаться по таймингам? На с-die вообще нет калькулятора, я особо и не парюсь по этому поводу. Разница между CL18 и CL20 не настолько принципиальна в повседневных задачах, чтобы этим заморачиваться.

Раньше БИОСы не умели нечетные тайминги CAS при разгоне, потом начали говорить, что это дело поправили, но нечетные все равно нежелательны.

[karats]

prudovik,
Ок на постоянку что посоветуешь оставить? 3200 16-17-17, 3333 16-18-18 или 3466 18-19-19. На всех стабильно и напряжение одно. Вроде и по частоте выше 3200 прирост минимальный.

[prudovik]

karats, 3333
можно и 3466, но в свое время винда была нестабильна на этой частоте. Именно винда, а не память. Возможно это вылечили.

[karats]

Решил 3200 насоветовался у кураторов по другим форумам
Вышло так
soc 1.025 (хотел 0.95 но ошибки появляются) Напряжение 1.28v

[karats]

prudovik,
Вернулся к твоему совету с 3333 Так soc чуть меньше требуется и скорость чтения повыше.
Ты регулировал доп тайминги или только основные? Просто у меня с регулировкой одних основных лучше можно результат чем по калькулятору получить а остальные подбирать к моим значениям очень муторно.

[prudovik]

karats, только основные. Фиксировал еще tRDRD_Sc на единице, т.к. мать автоматом ставит на 5 в разгоне.

[karats]

А от чего зависят тайминги tRAS и tRC? Находил формулу типа tRC=tRAS+tRP но по факту и по калькулятору не всегда сходится и частенько tRC больше данной суммы, а tRAS тогда из чего берётся?

[prudovik]

karats, одно время гуляла левая формула от Мушкина
Active Precharge Delay (tRAS) = RAS to CAS Latency (tRCD) + CAS Latency + 2
но это формула не верна.
неплохая старая статья на оверах https://overclockers.ru/lab/show/156...parametre_tRAS
tRC - формула правильная, но нужно учесть, что это минимально возможное значение.