РЕКЛАМА
ИНФОРМАЦИЯ
ПОЛЕЗНЫЕ ССЫЛКИ
Памятные войны: возвращение JEDEC

Большая частота %3D большая производительность? Тестируем быструю память DDR от TwinMOS и Buffalo Technology

Как ускорить работу с памятью?

Проблемы плат для Athlon64 с поддержкой памяти: прошли только три платы из десяти

Rambler's Top100 Рейтинг@Mail.ru

МАТПЛАТЫ

Влияние задержек/таймингов памяти на производительность
Краткое содержание статьи: Латентность CAS, задержка RAS-to-CAS, RAS precharge и active-to-precharge - всё это названия параметров, которые определяют скорость работы памяти. Мы протестировали память с идеальными, средними и медленными задержками, чтобы посмотреть, как они влияют на производительность последних процессоров AMD и Intel.

Влияние задержек/таймингов памяти на производительность


Редакция THG,  19 января 2004
Назад
Вы читаете страницу 1 из 4
1 2 3 4
Далее


Игры с памятью: внимание к задержкам

Игры с памятью: внимание к задержкам

Современные системы очень прожорливы до памяти - им нужно не менее 512 Мбайт, а лучше 1 Гбайт. Всё усложняется, когда вы приходите в большой компьютерный магазин, - там обычно большой выбор модулей DDR400 от разных производителей и в различных вариациях. Конечно, мы не имеем в виду мелкие фирмы с одним видом памяти в продаже. Так какую же память выбрать? Следует ли слушать то, что говорит продавец?

При любом обсуждении памяти часто всплывает термин "латентность/задержка CAS", или CL, для краткости. Однако не следует забывать и о многих других факторах, которые тоже влияют на скорость работы памяти. В данной статье мы внимательно рассмотрим эти факторы и объясним, что означают все эти таинственные цифры на модулях.

Затем мы перейдём к цели нашей статьи - определим, как система будет работать с лучшими, средними и худшими задержками. Мы провели 19 отдельных тестов на всех доступных платформах (Athlon XP, Athlon 64, Athlon 64 FX, Pentium 4, Pentium 4 EE), чтобы пролить свет на эту проблему.

Как работает SDRAM?

Современные модули памяти передают данные пакетами по 64 бита. Модули содержат чипы DRAM, которые отсылают данные синхронно с тактовым импульсом и обычно используют шину с удвоенной скоростью (DDR). Различие между шинами памяти DDR и SDR заключается в том, что модули DDR передают по шине данные на обоих фронтах тактового импульса, а SDR - только на одном. То есть реальная тактовая частота модулей DDR400 составляет 200 МГц, а эффективная - 400 МГц DDR.

Лучшим показателем скорости работы памяти является время цикла модуля, которое представляет собой время, необходимое для завершения одного такта. Время цикла в 10 нс означает возможность работы памяти со скоростью 100 миллионов тактов в секунду, то есть чипы могут работать на 100 МГц. Чтобы достичь 133 МГц, необходимо время цикла 7,5 нс, а для 166 МГц - 6,0 нс.
Время цикла, T Макс. частота, f Пропускная способность SDR* Пропускная способность DDR*
10 нс 100 МГц 800 Мбайт/с (PC100) 1600 Мбайт/с (DDR200)
7,5 нс 133 МГц 1064 Мбайт/с (PC133) 2100 Мбайт/с (DDR266)
6 нс 166 МГц - 2700 Мбайт/с (DDR333)
5 нс 200 МГц - 3200 Мбайт/с (DDR400)

* Максимальная теоретическая пропускная способность высчитывалась по следующей формуле: частота x ширину интерфейса (64 бита - это 8 байт). Память DDR RAM даёт в два раза большую пропускную способность, чем память SDR RAM. Мы рассматриваем одноканальный вариант.

Номенклатура: названия RAM

С обычной памятью SDR-SDRAM особых проблем не возникало - модули просто именовались по тактовой частоте (PC100, PC133 SDRAM). С выпуском DDR RAM правила изменились. Модули обозначаются с использованием максимальной теоретической пропускной способности (в Мбайт/с). Так возникла PC2100 = DDR266, PC2700 = DDR333 и т.д. Это изменение было продиктовано номенклатурой памяти Rambus DRAM (RDRAM), чьи названия - PC800 или PC1066 - также являются производной частоты. Следующая таблица даёт более подробную информацию.
Название Тип Эффективная тактовая частота Ширина шины Пропускная способность
PC66 SDRAM 66 МГц 64 бита 0,5 Гбайт/с
PC100 SDRAM 100 МГц 64 бита 0,8 Гбайт/с
PC133 SDRAM 133 МГц 64 бита 1,06 Гбайт/с
PC1600 DDR200 100 МГц 64 бита 1,6 Гбайт/с
PC1600 Dual-DDR200 100 МГц 2 x 64 бита 3,2 Гбайт/с
PC2100 DDR266 133 МГц 64 бита 2,1 Гбайт/с
PC2100 Dual-DDR266 133 МГц 2 x 64 бита 4,2 Гбайт/с
PC2700 DDR333 166 МГц 64 бита 2,7 Гбайт/с
PC2700 Dual-DDR333 166 МГц 2 x 64 бита 5,4 Гбайт/с
PC3200 DDR400 200 МГц 64 бита 3,2 Гбайт/с
PC3200 Dual-DDR400 200 МГц 2x 64 бита 6,4 Гбайт/с
PC4200 DDR533 266 МГц 64 бита 4,2 Гбайт/с
PC4200 Dual-DDR533 266 МГц 2 x 64 Bit 8,4 Гбайт/с
PC800 RDRAM Dual 400 МГц 2 x 16 бит 3,2 Гбайт/с
PC1066 RDRAM Dual 533 МГц 2 x 16 бит 4,2 Гбайт/с
PC1200 RDRAM Dual 600 МГц 2 x 16 бит 4,8 Гбайт/с
PC800 RDRAM Dual 400 МГц 2 x 32 бита 6,4 Гбайт/с
PC1066 RDRAM Dual 533 МГц 2 x 32 бита 8,4 Гбайт/с

Как работает доступ к памяти

Память организована в виде матриц, где есть строки (row) и столбцы (column). Ёмкость чипа определяется числом строк и столбцов. Если несколько массивов объединяются, они создают банк памяти.

Чипы, на самом деле, адресуются специальными сигналами управления, типа строба адреса строки (RAS), строба адреса столбца (CAS), разрешения записи (WE), выбора чипа (CS), и несколькими дополнительными командами (DQ). Вам также необходимо знать, какая строка в матрице памяти активна в любой момент времени.

В современных компьютерах скорость команд (command rate) определяется в BIOS - обычно, 1-2 такта. За это время выполняется RAS после выбора чипа памяти.

Контроллер памяти выбирает активную строку. Но перед тем, как строка станет активной, контроллеру нужно подождать 2-3 такта - tRCD (задержка RAS-to-CAS). Затем отсылается команда чтения, за которой следует задержка CAS. Для памяти DDR RAM, задержка CAS составляет 2, 2,5 или 3 такта. Как только это время завершится, на контакты DQ поступят данные. После получения данных, контроллер должен деактивировать строку, что осуществляется за время tRP (RAS precharge time).

Существует ещё одно техническое ограничение - tRAS (active-to-precharge delay). Это минимальное число тактов, в течение которых строка должна быть активной перед тем, как она будет вновь деактивирована. Обычно tRAS составляет 5-8 тактов.

Ниже мы привели задержки памяти в зависимости от их значимости:

Как работает доступ к памяти
Назад
Вы читаете страницу 1 из 4
1 2 3 4
Далее


СОДЕРЖАНИЕ

Обсуждение в Клубе Экспертов THG Обсуждение в Клубе Экспертов THG


РЕКЛАМА
РЕКОМЕНДУЕМ ПРОЧЕСТЬ!

История мейнфреймов: от Harvard Mark I до System z10 EC
Верите вы или нет, но были времена, когда компьютеры занимали целые комнаты. Сегодня вы работаете за небольшим персональным компьютером, но когда-то о таком можно было только мечтать. Предлагаем окунуться в историю и познакомиться с самыми знаковыми мейнфреймами за последние десятилетия.

Пятнадцать процессоров Intel x86, вошедших в историю
Компания Intel выпустила за годы существования немало процессоров x86, начиная с эпохи расцвета ПК, но не все из них оставили незабываемый след в истории. В нашей первой статье цикла мы рассмотрим пятнадцать наиболее любопытных и памятных процессоров Intel, от 8086 до Core 2 Duo.

ССЫЛКИ
Реклама от YouDo
Смотрите тут - https://youdo.com/lp-iphone25000/ тут.
Ремонт брелка сигнализации KGB - https://youdo.com/lp-remont-brelka-signalizatsii-KGB/.
Смета на линии электропередач напряжением до 10 кВ , http://remont.youdo.com/engineering/estimates/commissioning/electricity/cabling/plan/10kv/.