Выбираем память для разгона
Если провести апгрейд на новую материнскую плату под Intel Socket 775, которая требует DDR2, то какие выбрать модули памяти? Желательно, чтобы и разгон можно было выполнить. Через руки экспертов нашей тестовой лаборатории прошли 16 модулей DDR2 DRAM. Какие же из них мы порекомендуем читателям?
Первое, с чем мы столкнулись во время тестирования: большой разброс в спецификациях. На этикетках мы встречали разные режимы: от DDR2-533 до немыслимого DDR2-1000. Наконец, мы получили модули с маркировкой шариковой ручкой, которые производители ещё не выпустили на рынок. Но этот вопрос мы оставим на грядущее стрессовое тестирование, когда наши инженеры купят в магазине обычные модули и проведут стрессовые тесты разгона.
Модули DDR2 для разгона.
В модулях памяти недавно произошли некоторые изменения. Во-первых, выход новых платформ Intel на чипсетах от 915 до 975 для Socket 775 привёл к тому, что модули памяти DDR2 стали обязательными. Да и AMD тоже вскоре перейдёт на новую память с Socket AM2 (см. первые тесты системы Socket AM2). DDR2 в этом году обойдёт по продажам обычную память DDR, чему причиной многие технические преимущества. Скажем, те же 110-нм и 90-нм техпроцессы, по которым выпускается новая память. А меньший техпроцесс автоматически означает и меньшее тепловыделение. Кроме того, модули DDR2 обладают большей скоростью потоковой передачи (4-байтовая выборка prefetch) и работают на высоких тактовых частотах. Наконец, с появлением DDR2 на массовом рынке вполне реальны 2-Гбайт модули DIMM (правда, сегодня можно найти 2-Гбайт модули DDR, но они редкие и дорогие).
Да, в 2006 году нужно, без сомнения, добавлять память. 1-Гбайт модули сегодня можно найти по ценам, начиная с $60, а 512-Мбайт DIMM – от $35. Простая замена медленной памяти на оптимизированную под платформу может дать в некоторых приложениях прирост до 40% (по сути, 40% – это разница в частоте между DDR2-533 и DDR2-800). Но целью нашего обзора является разгон модулей памяти, так как при этом можно увеличить пропускную способность вплоть до 50%.
В отличие от практически незаметных последствий слабого разгона частоты процессора, аккуратная настройка задержек и частот памяти может дать ощутимый прирост производительности. Например, производительность Pentium 4 и Pentium D хорошо масштабируется при увеличении пропускной способности памяти.
Модули DDR2 в деталях
Типичная ёмкость модулей DDR2 RAM на рынке сегодня составляет 512 Мбайт и 1 Гбайт. Модули на 256 Мбайт или 2 Гбайт встречаются реже. В следующей таблице приведена частотная спецификация модулей памяти.
| Модуль | Частота | PC |
| DDR2-1066 | 533 МГц | PC8000 |
| DDR2-888 | 444 МГц | PC7100 |
| DDR2-800 | 400 МГц | PC6400 |
| DDR2-711 | 355 МГц | PC5700 |
| DDR2-667 | 333 МГц | PC5300 |
| DDR2-533 | 266 МГц | PC4200 |
| DDR2-400 | 200 МГц | PC3200 |
Позвольте перейти к информации о расположении отдельных чипов памяти на модуле и их организации.
Большинство производителей памяти дают точную информацию об используемых на модулях чипах.
Обозначение “Chip: 64Mx8” означает, что отдельные чипы модуля используют восемь 64-мегабитных областей памяти (64 Мбит = 8 Мбайт, что для восьми областей даёт 64 Мбайт). Следовательно, каждый отдельный чип обладает ёмкостью 64 Мбайт.
Обозначение “Module: 128Mx64” означает, что весь модуль состоит из 64 областей памяти, каждая объёмом 128 Мбит (128 Мбит = 16 Мбайт, а для 64 чипов = 1 Гбайт). Если 1-Гбайт модуль состоит из 16 отдельных чипов, то каждый из них должен обладать ёмкостью 64 Мбайт. В данном случае мы получаем двухсторонние модули, так как у обычного модуля на одну сторону помещаются только восемь чипов.
Ниже представлены типичные конфигурации модулей памяти DDR2 для настольных ПК.
| Ёмкость модуля | Число сторон | Типичная организация чипов |
| 256 Мбайт | 1 | 32-Мбайт чип x 8 |
| 512 Мбайт | 2 | 32-Мбайт чип x 8 x 2 стороны |
| 512 Мбайт | 1 | 64-Мбайт чип x 8 |
| 1 Гбайт | 2 | 64-Мбайт чип x 8 x 2 стороны |
| 1 Гбайт | 1 | 128-Мбайт чип x 8 |
Две стороны лучше, чем одна
Многие энтузиасты в области ПК знают, что модули одного и того же объёма могут быть как в односторонней, так и в двухсторонней версии. При возможности старайтесь покупать двусторонние модули памяти, поскольку они по природе обладают скоростным преимуществом над односторонними. Кроме того, сегодня многие чипсеты Intel с поддержкой DDR2 используют две стороны модуля памяти наподобие дисков массива RAID. В итоге получается прирост производительности около 2%. Кстати, использование четырёх односторонних модулей памяти не приводит к такому же эффекту. Так что переход с двухсторонних модулей на односторонние ухудшает производительность.
Контроллер памяти чипсета работает с двумя односторонними модулями в двухканальном режиме.
При установке двухсторонних модулей чипсет Intel параллельно работает с четырьмя сторонами (банками памяти).
Ниже приведена таблица производительности памяти в зависимости от объёма чипов и их расположения.
| Скорость памяти (CL 5,0-5-5-15) FSB 1066 |
|||
| Число сторон | Чтение | Запись | Задержка |
| 4 (2 модуля) | 7320 Мбайт/с | 2157 Мбайт/с | 83,9 нс |
| 2 (2 модуля) | 7225 Мбайт/с | 2118 Мбайт/с | 83,5 нс |
| 4 (4 модуля) | 7058 Мбайт/с | 2093 Мбайт/с | 89,3 нс |
| 3 (3 модуля) | 5130 Мбайт/с | 1698 Мбайт/с | 84,2 нс |
| 1 (1 модуль) | 5123 Мбайт/с | 1672 Мбайт/с | 84,4 нс |
| Число сторон | Чтение | Запись | Задержка |
| 4 (2 модуля) | 142,9% | 129,0% | 99,4% |
| 2 (2 модуля) | 141,0% | 126,7% | 98,9% |
| 4 (4 модуля) | 137,8% | 125,2% | 105,8% |
| 3 (4 модуля) | 100,1% | 101,6% | 99,8% |
| 1 (1 модуль) | 100% | 100% | 100% |
Наши измерения показывают слабую зависимость производительности от числа пар на материнской плате. Поэтому вы можете установить на материнскую плату 2 или 4 Гбайт памяти и не потеряете в производительности.
Некоторые модули DDR2 поставляются с прикреплённым радиатором. Впрочем, они полезны лишь для внешнего вида. 110-нм или 90-нм чипы не требуют дополнительного охлаждения.
Настройки BIOS, увеличивающие производительность
В BIOS следует обратить внимание, в первую очередь, на четыре настройки, которые позволяют ускорить работу с памятью.
В BIOS можно выбрать широкий диапазон частот памяти.
В большинстве версий BIOS можно выставлять частоты памяти независимо, либо в виде множителя от частоты шины (FSB x множитель = частота памяти).
Ниже приведён обзор настроек частоты памяти в BIOS.
| Возможные конфигурации памяти | ||
| FSB1066 (266 МГц) | Множитель | FSB800 (200 МГц) |
| DDR2-400 | 1,50 | Н/Д |
| DDR2-533 | 2,00 | DDR2-400 |
| DDR2-667 | 2,50 | Н/Д |
| DDR2-711 | 2,66 | DDR2-533 |
| DDR2-800 | 3,00 | DDR2-600 |
| DDR2-888 | 3,33 | DDR2-667 |
| DDR2-1066 | 4,00 | DDR2-800 |
Конечно, можно менять и частоту FSB.
Вряд ли для кого-нибудь окажется секретом, что увеличение частоты FSB является самым распространённым способом разгона памяти на системах Intel. Данные начинают поступать к процессору быстрее.
Переход на уменьшенные задержки памяти позволяет улучшить производительность памяти, но может быстро привести к потере стабильности. Подобные шаги следует делать аккуратно и осторожно.
Самой важной из задержек является CAS, поскольку другие параметры высчитываются относительно неё и уже не так сильно влияют на производительность.
CL4 или CL3: прирост производительности вплоть до 5%
Когда задержка CAS для 200-МГц системы (FSB) выставлена в значение CL5.0, время доступа столбца (column access time, tCAC) составляет 50 нс, а тактовый период (clock cycle time, tCLK) – 10 нс (что, собственно, следует известной формуле tCLK * CAS Latency >= tCAC). Следующие задержки поясняются в следующей таблице.
| RAS | Row Access Strobe (строб адреса строки) |
| CAS | Column Access Strobe (строб адреса столбца) |
| tRCD | Промежуток времени между сигналами доступа RAS и CAS |
| tRP | Промежуток времени, уходящий на переключение между банками памяти |
| tAC | Промежуток времени до готовности выдачи данных |
| tCAC | Время доступа столбца |
Информация о задержках, полученная CPU-Z на ПК с Windows XP.
Конфигурация памяти рядового компьютера выглядит примерно следующим образом: DDR2-533 с CL4,0 или DDR-667 с CL5,0. Очень редко можно встретить память DDR2 с номинальной задержкой CL3,0. И даже если вы найдёте такую память в магазине, она будет немало стоить, поскольку низкое время отклика и высокие тактовые частоты сочетаются плохо.
Чип SPD хранит полный набор параметров. Материнская плата считывает параметры напрямую из чипа SPD.
Программа CPU-Z тоже считывает значение SPD из модулей памяти.
Повышение напряжения питания улучшает стабильность сигналов.
Ещё один острый вопрос касается напряжения питания модулей DDR2. Стандартный уровень составляет 1,8 В с допуском +/- 0,05 В. Некоторые производители разрешают подавать на модули памяти напряжение до 2,2 В. В принципе, вы можете спокойно выставлять столь высокий уровень напряжения памяти, поскольку энергопотребление DDR2 невелико, и модули нагреваются во время работы не сильно. Мы проводили весьма жестокие эксперименты, но модули памяти не пострадали.
Улучшаем производительность, уменьшая задержки
Мы провели ряд тестов задержек с FSB 1066 (266 МГц), установив модули памяти Corsair CM2X512-8000UL.
В таблице представлена зависимость производительности от задержек памяти.
| Тесты памяти (CL X,0-3-3-8) FSB 1066 | |||
| Задержка | Скорость чтения | Скорость записи | Задержка (абсолютная) |
| CL 3,0 | 7458 Мбайт/с | 2499 Мбайт/с | 76,9 нс |
| CL 4,0 | 7435 Мбайт/с | 2447 Мбайт/с | 80,1 нс |
| CL 5,0 | 7405 Мбайт/с | 2375 Мбайт/с | 81,9 нс |
| Задержка | Скорость чтения | Скорость записи | Задержка (абсолютная) |
| CL 3,0 | 100,7 % | 105,2 % | 106,5 % |
| CL 4,0 | 100,4 % | 103,0 % | 102,2 % |
| CL 5,0 | 100 % | 100% | 100% |
Даже с максимальной частотой FSB 1066 МГц уменьшение задержки CAS до 3,0 очень незначительно увеличивает скорость чтения памяти, но вот скорость записи улучшается где-то на 5%.
Прирост производительности от уменьшения задержек при FSB 800 МГц (200 МГц физические) тоже минимален. Так что вряд ли стоит сохранять частоту FSB и памяти, чтобы задержки были на минимальном уровне. Кроме того, вряд ли имеет смысл покупать высокопроизводительную, но более дорогую память с низким задержками.
Увеличиваем частоту памяти: прирост производительности 23%
С другой стороны, прирост частоты памяти может дать ощутимое увеличение производительности. Как и раньше, для тестирования мы использовали модули памяти Corsair CM2X512-8000UL.
Мы провели анализ производительности с частотами памяти от DDR2-400 до DDR2-800 с разными частотами FSB 800 и 1066 МГц. В качестве эталона мы взяли память DDR2-533, так как она сегодня является самой популярной. А DDR2-400 используется несколько реже.
Ниже приведена таблица с результатами производительности FSB 800 МГц.
| Частота работы памяти (CL 5,0-5-5-15) FSB800 (200 МГц) | |||
| FSB800 (200 МГц) | Скорость чтения | Скорость записи | Задержка |
| DDR2-800 (400 МГц) | 6189 Мбайт/с | 2142 Мбайт/с | 82,9 нс |
| DDR2-667 (333 МГц) | 6105 Мбайт/с | 1985 Мбайт/с | 88,0 нс |
| DDR2-600 (300 МГц) | 6052 Мбайт/с | 1890 Мбайт/с | 88,1 нс |
| DDR2-533 (266 МГц) | 6024 Мбайт/с | 1743 Мбайт/с | 89,5 нс |
| DDR2-400 (200 МГц) | 5464 Мбайт/с | 1389 Мбайт/с | 111,4 нс |
| FSB800 (200 МГц) | Скорость чтения | Скорость записи | Задержка |
| DDR2-800 (400 МГц) | 102,7% | 122,9% | 108,0% |
| DDR2-667 (333 МГц) | 101,3% | 113,9% | 101,7% |
| DDR2-600 (300 МГц) | 100,5% | 108,4% | 101,6% |
| DDR2-533 (266 МГц) | 100,0% | 100,0% | 100,0% |
| DDR2-400 (200 МГц) | 90,7% | 79,7% | 80,3% |
В таблице отчётливо видно: если модуль памяти DDR2-800 используется вместе с FSB 800, он может улучшить скорость чтения на 2,7%, а скорость записи – на 22,9%. Задержка улучшается примерно на 8%. Можно сделать следующее заключение: если вы не планируете разгонять FSB, то вряд ли получите существенный прирост производительности от простого увеличения частоты памяти.
Ниже приведена таблица с результатами производительности FSB 1066 МГц.
| Частота работы памяти (CL 5,0-5-5-15) FSB1066 (266 МГц) | |||
| FSB1066 (200 МГц) | Скорость чтения | Скорость записи | Задержка |
| DDR2-888 (444 МГц) | 7819 Мбайт/с | 2554 Мбайт/с | 73,9 нс |
| DDR2-800 (400 МГц) | 7748 Мбайт/с | 2431 Мбайт/с | 75,6 нс |
| DDR2-711 (355 МГц) | 7673 Мбайт/с | 2258 Мбайт/с | 76,3 нс |
| DDR2-667 (333 МГц) | 7310 Мбайт/с | 2110 Мбайт/с | 83,6 нс |
| DDR2-533 (266 МГц) | 7066 Мбайт/с | 1822 Мбайт/с | 86,3 нс |
| DDR2-400 (200 МГц) | 5732 Мбайт/с | 1458 Мбайт/с | 105,2 нс |
| FSB1066 (266 МГц) | Скорость чтения | Скорость записи | Задержка |
| DDR2-888 (444 МГц) | 110,7% | 140,2% | 116,8% |
| DDR2-800 (400 МГц) | 109,7% | 133,4% | 114,2% |
| DDR2-711 (355 МГц) | 108,6% | 123,9% | 113,1% |
| DDR2-667 (333 МГц) | 103,5% | 115,8% | 103,2% |
| DDR2-533 (266 МГц) | 100,0% | 100,0% | 100,0% |
| DDR2-400 (200 МГц) | 81,1% | 80,0% | 82,0% |
В таблице можно заметить некоторые весьма интересные результаты. При скорости FSB 1066 (266 МГц) переход на DDR2-888, наконец, начинает себя оправдывать. Скорость чтения улучшается на 10,7%, а скорость записи – на 40,2%. А улучшение задержки оказывается в два раза лучше, чем для FSB800. Впрочем, причина понятна: “узким местом” у платформ Intel продолжает оставаться шина процессора FSB.
Методика тестирования
Мы проводили все тесты памяти на материнской плате Asus P5WD2-E Premium (Rev. 1.01G), оснащённой версией BIOS 0302 (1/17/2006).
В качестве тестовой платформы мы взяли материнскую плату Asus P5WD2-E Premium, использующую чипсет Intel 975X.
Информация о материнской плате.
| Процессор Intel (Socket 775) | |
| FSB1066 | Pentium EE 955 Presler (2×3400 МГц, 12KµOps+16/2048 кбайт) |
| Материнская плата | |
| Socket 775 | Asus P5WD2-E Premium Rev. 1.01G Bios: 0302 (01/26/2006) Чипсет: Intel 975X |
| Общее аппаратное обеспечение | |
| Графическая карта (PCIe) | Gigabyte GV-NX78X256V-B GPU: nVidia GeForce 7800 GTX (430 МГц) Память: 256 Мбайт GDDR3 (1200 МГц) |
| Жёсткий диск | SATA Western Digital WD160 160 Гбайт/ 16 Мбайт кэш/ 7200 об/мин |
| DVD-ROM | Gigabyte GO-D1600C (16x) |
| Программное обеспечение | |
| Чипсет Intel | Intel INF Update Utility 7.2.2.1006 (11/14/2005) |
| Графика nVidia | Detonator 81.98 (01/07/2006) |
| DirectX | Version: 9.0c (4.09.0000.0904) |
| ОС | Windows XP, Build 2600 SP2 |
Тесты Wstream и Everest
Выбрать тесты для модулей памяти не так просто, как для других компонентов ПК. Мы использовали программы Wstream и Everest, поскольку они выдавали стабильные и повторяемые результаты. Да и для сравнения модулей памяти эти программы подходят хорошо. Программа Wstream поддерживает несколько процессоров, позволяя более эффективно нагружать FSB между процессором и интерфейсом памяти.
Программа Wstream доступна только в виде исходного года. Мы откомпилировали её в C++.
Что касается тестовых результатов, то программа Everest даёт приятно стабильные показатели, помогая измерять задержку памяти.
Everest Ultimate Edition 2006, Version 2.50.480 даёт стабильные и повторяемые результаты.
Наконец-то в лаборатории THG появились мощные и точные тесты памяти, которые дают повторяемые результаты. Конечно, сегодня нет идеального или стандартного теста пропускной способности памяти, поэтому всё зависит от алгоритмов, реализованных в тесте. Например, Wstream сообщает о скорости записи 3,7 Гбайт/с для модуля DDR2-667, а Everest даёт меньшую скорость 2,8 Гбайт/с для того же модуля. И причина – в разных алгоритмах.
Мы решили отойти от популярной программы SiSoft Sandra 2006 по двум причинам. Первая: версия Service Pack 3 не работает на материнских платах с чипсетом Intel 975X. Вторая: предыдущая версия Service Pack 2 демонстрировала слишком большой разброс в результатах тестирования, который не позволял надёжно сравнивать модули памяти между собой. Впрочем, опытных пользователей эта новость вряд ли удивит: пакет SiSoft Sandra не нацелен на оверклокеров или энтузиастов.
Тесты разгона и использованная материнская плата
Когда мы планируем новое тестирование, то многие производители высылают в лабораторию THG последние и самые быстрые продукты. Очень часто мы получаем специально подготовленные модули и прототипы, которые в рознице купить невозможно. Именно поэтому мы просим высылать нам только те модели, которые потребитель может купить в обычном магазине. Все модули проходили через три последовательных теста, результаты которых позволяют нам рекомендовать модули к покупке.
В нашем первом тестировании все модули работали с настройками по умолчанию. Только во втором тестировании (минимальное время отклика, Overclocked Latency Time) мы предельно низко выставляли время отклика памяти. В третьем тесте мы определяли максимальную тактовую частоту памяти.
| Производитель | Частота | Число сторон (D – две, S – одна) |
| A-Data | DDR2-800 | D |
| Aeneon (Infineon) | DDR2-667 | S |
| Buffalo | DDR2-667 | S |
| Corsair | DDR2-1000 | S |
| Crucial/Micron | DDR2-667 | S |
| Geil | DDR2-533 | S |
| GSKill | DDR2-675 | S |
| Kingmax | DDR2-667 | S |
| Kingston | DDR2-900 | S |
| Mushkin | DDR2-667 | D |
| OCZ | DDR2-800 | S |
| Patriot Memory | DDR2-1000 | S |
| PQI | DDR2-667 | D |
| Samsung | DDR2-667 | S |
| TwinMOS | DDR2-667 | S |
| Wintec | DDR2-667 | S |
Результаты тестирования: DDR2-667 при настройках по умолчанию
В первом тесте мы выставляли стандартный режим 667 МГц (333 МГц физические), а модули работали с задержками, указанными в чипах SPD.
Wstream
Everest
Результаты тестирования: снижаем задержки
В следующей серии тестов мы вновь использовали стандартную частоту FSB 667 (333 МГц), выставляли напряжение питания 2,2 В и самые экстремальные задержки, которые смогли получить. Для их определения мы проводили следующий набор тестов.
| Тест | Задержка | Напряжение |
| 1 | CL 3,0-3-3-8 | 1,80 В |
| 2 | CL 3,0-3-3-8 | 2,00 В |
| 3 | CL 3,0-3-3-8 | 2,20 В |
| 4 | CL 4,0-4-4-12 | 1,80 В |
| 5 | CL 4,0-4-4-12 | 2,00 В |
| 6 | CL 4,0-4-4-12 | 2,20 В |
| 7 | CL 5,0-5-5-15 | 1,80 В |
| 8 | CL 5,0-5-5-15 | 2,00 В |
| 9 | CL 5,0-5-5-15 | 2,20 В |
Wstream
Everest
Результаты тестирования: разгоняем память по частоте
Для многих читателей результаты третьей серии тестов будут наиболее интересны. У каждого модуля мы выставляли задержки CL 5,0-5-5-15, после чего пытались запустить модули с максимальной тактовой частотой. Конечно, пока система оставалась стабильной. Мы запускали модули в режиме DDR2-800 или DDR2-888, после чего автоматически поднимали частоту FSB до тех пор, пока программа теста памяти не начинала выдавать ошибки. Напряжение мы оставляли на уровне 2,2 В. В противном случае о пиковых значениях можно было и не мечтать.
Wstream
Everest
Нужна стабильная материнская плата
Чтобы выжать максимум производительности из модулей памяти, качественная материнская плата просто необходима. Как мы уже упоминали в предыдущем тесте памяти DDR, материнские платы Asus являются прекрасной базой для разгона памяти. В этой области Asus уже несколько лет обгоняет конкурентов.
Разгон памяти на материнских платах, не оснащённых опцией безопасной загрузки с параметрами по умолчанию (default boot), может отнять немало времени и сил. Инженеры тестовой лаборатории THG поработали и с материнскими платами на 975X от Gigabyte и MSI, которые загружались, но не определяли, что произошла неудачная попытка разгона. Через несколько секунд после загрузки датчик Port80 сообщал “C1” (ошибка памяти) и плата подвисала. Избежать этой ошибки можно было только сбросом всех настроек CMOS (а не одного-двух значений)
Для сброса настроек CMOS требуется переключить перемычку под названием “CLRTC” или “CLRCMOS”, загрузить и выключить плату, после чего переставить перемычку в первоначальное положение.
Ещё один способ сброса настроек CMOS. Достаньте батарейку на материнской плате, после чего пару раз замкните контакты гнезда батареи отвёрткой.
MSI знакома с проблемами разгона, поэтому на материнской плате присутствует клавиша сброса CMOS.
Asus без проблем восстанавливает состояние системы после неудачных попыток разгона: плата определяет сбой и перезагружается с настройками по умолчанию. Но самое приятное, все необходимые настройки BIOS сохраняются после ещё одного перезапуска. По этой причине инженеры лаборатории THG рекомендуют материнские платы Asus. У других моделей на сброс и восстановление настроек CMOS уходит слишком много времени. Мы проверяли разгон и сброс CMOS на следующих платах: Asus P5WD2-E (Rev. 1.01G),
Gigabyte GA-G1975X (Rev. 1.0),
MSI 975 Platinum H (Rev. 0A).
A-Data DDR2-800: выбраны вручную
A-Data выслала в нашу лабораторию двухсторонние модули, выбранные вручную из доступных партий. В любом случае, даже тщательно выбранная память не смогла сбросить модули Corsair и Patriot с лидирующих позиций.
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
| A-DATA | |
| Информация производителя | |
| Сайт | adata.com.tw |
| Рабочая частота | DDR2-800 (PC6400) |
| Задержки | CL 5,0 |
| Объём | 512 Мбайт (2 ряда, 4 банка) одна сторона |
| Маркировка | M2OEL6F3H4170A1E0Z DDRII 800(5) 512MX16 S/N:545TR (ELJVE1916) |
| Задержки SPD | |
| DDR2-800 (400 МГц) | CL 5,0-5-5-18 |
| DDR2-667 (333 МГц) | CL 4,0-5-5-15 |
| DDR2-533 (266 МГц) | CL 4,0-4-4-12 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 1,8 – 1,85 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-667, CL 4,0-5-5-15, 1,8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 3,0-3-3-8, 1,8 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-888@950 (475 МГц) 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
Aeneon DDR2-533: хорошее соотношение цена/производительность
Несмотря на наши запросы DDR2-667, Aeneon выслала нам только модель 553. Объяснение простое: Aeneon является новой торговой маркой недорогой памяти от Infineon. Но, несмотря на это, модуль заработал на 667 (333 МГц) с задержкой CL4.0 без всяких проблем. Даже без увеличения напряжения. В итоге модули Aeneon можно назвать прекрасным выбором по соотношению цена/качество.
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
| Aeneon (Infineon) | |
| Информация производителя | |
| Сайт | aeneon.com |
| Рабочая частота | DDR2-533 (PC4200) |
| Задержки | CL 4,0-4-4 |
| Объём | 512 Мбайт (1 ряд, 4 банка) одна сторона |
| Маркировка | 1Rx8 PC2-4200U-444-11 AET660UD00-370A98X A5C51703 |
| Задержки SPD | |
| DDR2-533 (266 МГц) | CL 5,0-4-4-12 |
| DDR2-533 (266 МГц) | CL 4,0-4-4-12 |
| DDR2-400 (200 МГц) | CL 3,0-3-3-9 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 1,80 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-533, CL 4,0-4-4-12, 1,8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 4,0-4-4-12, 1,8 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-800@812 (406 МГц), 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
Buffalo DDR2-667: не впечатляет, но тоже неплохо
Модули Buffalo ничем нас не впечатлили. Но они смогли обеспечить CL3,0 от напряжения 2,0 В и выше.
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
| Buffalo | |
| Информация производителя | |
| Сайт | buffalo-technology.com |
| Рабочая частота | DDR2-667 (PC5300) |
| Задержки | CL 5,0-5-5 |
| Объём | 512 Мбайт (1 ряд, 4 банка) одна сторона |
| Маркировка | D2U667C-S512MBJ PC2-5300U-555-11-D1 1Rx8 DDR2 SDRAM |
| Задержки SPD | |
| DDR2-667 (333 МГц) | CL 5,0-5-5-15 |
| DDR2-533 (266 МГц) | CL 4,0-4-4-12 |
| DDR2-400 (200 МГц) | CL 3,0-3-3-9 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 1,80 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-667, CL 5,0-5-5-15, 1,8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 3,0-3-3-8, 2,2 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-888@934 (467 МГц) 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
Corsair DDR2-1000: абсолютный лидер
Самые скоростные модули в нашем тестировании поступили от Corsair. Они способны работать на частоте 500 МГц (DDR1000) с совершенно экстремальными задержками CL3,0. Так что дорогие модули Corsair себя оправдывают. Впрочем, нам несколько не понятно, почему компания наносит столь некачественную маркировку. Её можно легко стереть с наклейки. И наклейки наших лабораторных модулей читаются уже с трудом. Возможно, таким способом Corsair борется с перепродажей модулей.
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
| Corsair (XMS 1.1) | |
| Информация производителя | |
| Сайт | corsair.com |
| Рабочая частота | DDR2-1000 (PC48000) |
| Задержки | CL 5,0-4-4-9 |
| Объём | 512 Мбайт (1 ряд, 4 банка) одна сторона |
| Маркировка | CMSX512-8000UL XMS8005v1.1 |
| Задержки SPD | |
| DDR2-800 (400 МГц) | CL 5,0-5-5-18 |
| DDR2-540 (270 МГц) | CL 4,0-4-4-13 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 1,8 – 2,2 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-667, CL 4,0-5-5-13, 1,8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 3,0-3-3-8, 1,8 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-888@1000 (500 МГц), 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
Crucial/Micron DDR2-667 (Ballistix): рождены для разгона
Из всех 16-ти тестовых модулей DIMM от Crusial/Micron больше всего впечатлил нас возможностями разгона. Модули заняли пятое место с частотой DDR2-968 (484 МГц). Весьма неплохо. Кроме того, достаточно редко встречается память DDR2, способная работать с задержкой CL3,0 при стандартном уровне напряжения (1,8 В). Но, конечно, загадочные названия модулей расшифровать вряд ли можно.
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
| Crucial (Ballistix) / Micron | |
| Информация производителя | |
| Сайт | crucial.com |
| Рабочая частота | DDR2-667 (PC5300) |
| Задержки | Нет информации |
| Объём | 512 Мбайт (1 ряд, 4 банка) одна сторона |
| Маркировка | BL646AA663.8FA CL111P59X 58041 |
| Задержки SPD | |
| DDR2-667 (333 МГц) | CL 5,0-3-3-15 |
| DDR2-533 (266 МГц) | CL 4,0-3-3-12 |
| DDR2-533 (266 МГц) | CL 3,0-3-3-12 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 1,8 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-667, CL 5,0-3-3-15, 1,8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 3,0-3-3-8, 1,8 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-888@968 (484 МГц), 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
GeIL DDR2-533: не впечатлил
Модули GeIL показали наихудшую производительность в нашем тестировании (в частности, в тесте Wstream). Но вот после разгона ситуация поменялась: модули DDR2-533 обеспечили стабильную работу системы даже при частоте 952 (476 МГц). Как мы подозреваем, этот производитель выслал нам специально отобранные модули с хорошими характеристиками производительности. Вряд ли покупатели получат их у обычных розничных версий. Впрочем, всё покажет наше будущее стрессовое тестирование памяти DDR2.
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
| GeIL | |
| Информация производителя | |
| Сайт | geilusa.com |
| Рабочая частота | DDR2-533 (PC5300) |
| Задержки | CL 4,0-4-4-12 |
| Объём | 512 Мбайт (1 ряд, 4 банка) одна сторона |
| Маркировка | GX21GB5300DC Напряжение: 1,8 В |
| Задержки SPD | |
| DDR2-667 (333 МГц) | CL 5,0-5-5-15 |
| DDR2-533 (266 МГц) | CL 4,0-4-4-12 |
| DDR2-400 (200 МГц) | CL 3,0-3-3-9 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 1,8 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-667, CL 4,0-4-4-12, 1,8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 4,0-4-4-12, 1,8 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-888@952 (476 MHz), 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
G.Skill DDR2-675: сомнительная наклейка
Наклейки модулей G.Skill какие-то странные. Судите сами: обозначение PC2-5400 подразумевает, что память работает в режиме DDR2-675. В действительности же перед нами ещё один модуль 667. Чтобы он заработал в режиме CL3,0, приходится поднять напряжение питания до 2,2 В. У конкурентов бывает и лучше.
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
| G.SKILL | |
| Информация производителя | |
| Сайт | gskill.com |
| Рабочая частота | DDR2-675 (PC5400) |
| Задержки | CL 4,0-4-4-12 |
| Объём | 512 Мбайт (1 ряд, 4 банка) одна сторона |
| Маркировка | F2-5400PHU2-1GBLA DDRII512MB PC2-5400 CL4 4-4-12 1.8-2.0V |
| Задержки SPD | |
| DDR2-667 (333 МГц) | CL 5,0-5-5-15 |
| DDR2-533 (266 МГц) | CL 4,0-4-4-12 |
| DDR2-400 (200 МГц) | CL 3,0-3-3-9 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 1,8 – 2,0 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-667, CL 5,0-5-5-15, 1,8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 3,0-3-3-8, 2,2 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-888@918 (459 МГц) 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
Kingmax DDR2-667: выбирайте цвет чипов
По разгону модули Kingmax показали себя неплохо: максимальная частота 950 (475 МГц). Уникальной особенностью модулей является то, что оптовые покупатели могут заказывать цвет центрального чипа. Да, для некоторых это может оказаться решающим критерием.
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
| Kingmax | |
| Информация производителя | |
| Сайт | kingmax.com |
| Рабочая частота | DDR2-667 (PC5300) |
| Задержки | Нет информации на модулей |
| Объём | 512 Мбайт (1 ряд, 4 банка) одна сторона |
| Маркировка | KLCC28F-A8KB5 S/N:K5B004302001 EGES 512MB DDR2-667 |
| Задержки SPD | |
| DDR2-667 (333 МГц) | CL 5,0-5-5-13 |
| DDR2-533 (266 МГц) | CL 4,0-4-4-11 |
| DDR2-400 (200 МГц) | CL 3,0-3-3-8 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 1,8 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-667, CL 5,0-5-5-13, 1,8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 4,0-4-4-12, 1,8 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-888@950 (475 МГц), 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
Kingston DDR2-900: даёт минимальный разгон
Этот производитель знаменит важными шагами в истории памяти. Скажем, выпуском отобранных вручную модулей для двухканальных систем. Но здесь Kingston нас не порадовала. Несмотря на рейтинг скорости 900, данная частота возможна лишь при относительно больших задержках CL4,0 (при стандартном уровне напряжения). Даже по разгону модули упёрлись в частоту 984 (492 МГц).
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
| Kingston (HyperX) | |
| Информация производителя | |
| Сайт | kingston.com |
| Рабочая частота | DDR2-900 (PC7000) |
| Задержки | Нет информации |
| Объём | 512 Мбайт (1 ряд, 4 банка) одна сторона |
| Маркировка | KHX7200D2K2/1G 9905315-015.A00 K2 2000005-0007367 2.0 V |
| Задержки SPD | |
| DDR2-667 (333 МГц) | CL 5,0-5-5-15 |
| DDR2-533 (266 МГц) | CL 4,0-4-4-12 |
| DDR2-400 (200 МГц) | CL 3,0-3-3-9 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 2,0 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-667, CL 5,0-5-5-15, 1,8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 4,0-4-4-12, 1,8 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-888@984 (492 МГц), 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
Mushkin DDR2-667: двухсторонние модули с хорошей скоростью
Модули Mushkin отличаются приятным внешним видом. Пусть и не привлекательным, но необычным. Производитель выслал нам только “толстые” 1-Гбайт модули памяти. Они позволяют использовать преимущества двухсторонних модулей, то есть получить сразу же прирост производительности в несколько процентов. Во время наших тестов разгона модули достигли частоты 918 (459 МГц). Вполне достойное значение, но не лидирующее. В целом, ничего особого сказать нельзя.
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
| Mushkin | |
| Информация производителя | |
| Сайт | mushkin.com |
| Рабочая частота | DDR2-667 (PC5300) |
| Задержки | CL 5-5-5-15 |
| Объём | 1024 Мбайт (2 ряда, 4 банка) две стороны |
| Маркировка | 2GB XP2-5300 Dual Pack (2x1GB) 1121-1 991512 |
| Задержки SPD | |
| DDR2-667 (333 МГц) | CL 5,0-5-5-15 |
| DDR2-533 (266 МГц) | CL 4,0-4-4-12 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 1,8 – 2,0 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-667, CL 5,0-5-5-15, 1.8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 4,0-4-4-12, 1,8 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-888@918 (459 МГц), 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
OCZ DDR2-800: третье место по скорости
Мы уже достаточно давно работаем с модулями OCZ. В прошлом году через нашу лабораторию прошло немало модулей этого производителя. На сей раз нам выслали модуль DDR2-800, который показал результаты, сравнимые с DIMM Kingston, – максимальную тактовую частоту 984 (492 МГц). Вполне достойное значение. Но вот что касается задержек, то модули OCZ не слишком себя проявили. Даже при высоком входном напряжении 2,2 В они не смогли заработать с задержкой CL3,0. Кроме того, в чипе SPD зашиты задержки только для режима DDR-800 (400 МГц), а не для нескольких.
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
| OCZ | |
| Информация производителя | |
| Сайт | ocz.com |
| Рабочая частота | DDR2-800 (PC6400) |
| Задержки | CL 4,0-5-4-15 |
| Объём | 512 Мбайт (1 ряд, 4 банка) одна сторона |
| Маркировка | PC2 6400 512MB EL Dual CH Platinum Edition XTC |
| Задержки SPD | |
| DDR2-800 (400 МГц) | CL 4,0-5-4-16 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 1,8 – 2,0 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-667, CL 4,0-5-4-16, 1,8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 4,0-4-4-12, 1,8 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-888@984 (492 МГц), 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
Patriot Memory DDR2-1000: максимальная скорость чтения 8,6 Гбайт/с
Производитель памяти Patriot Memory в нашей лаборатории встречался не так часто. Компания выслала нам 512-Мбайт модуль с маркировкой DDR2-1000. Весьма неожиданно модуль показал время отклика CL3,0 при стандартном уровне напряжения (1,8 В). Подобно модулям Corsair, продукты Patriot Memory без проблем заработали на частоте 500 МГц, и мы получили впечатляющую скорость чтения 8,6 Мбайт/с. Самое высокое значение в нашем тестировании. Так что модули Patriot Memory DDR2-1000 можно смело рекомендовать.
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
| Patriot Memory | |
| Информация производителя | |
| Сайт | patriotmem.com |
| Рабочая частота | DDR2-1000 (PC8000) |
| Задержки | CL 5,0-5-5-5 |
| Объём | 512 Мбайт (1 ряд, 4 банка) одна сторона |
| Маркировка | PDC21G8000ELK 1GB PC2-8000 (5-5-5) (2X512MB) Kit PD000069-P A0015575 |
| Задержки SPD | |
| DDR2-1000 (500 МГц) | CL 5,0-5-5-15 |
| DDR2-800 (400 МГц) | CL 4,0-4-4-12 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 1,8 – 2,3 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-667, CL 4,0-4-4-12, 1,8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 3,0-3-3-8, 1,80 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-888@1000 (500 МГц), 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
PQI DDR2-667: быстрая память, но без потенциала разгона
Модули PQI двухсторонние. Кроме того, они выдали задержки CL3,0 при стандартном напряжении питания. В итоге мы получаем быструю память для обычных условий. Но вот разгон удался слабо: всего лишь 888 (444 МГц). Другие производители смогли обеспечить более приличный результат. Впрочем, покупатели могут доверять маркировке на модулях и наслаждаться быстрыми задержками CL3,0.
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
| PQI | |
| Информация производителя | |
| Сайт | pqimemory.com |
| Рабочая частота | DDR2-667 (PC5300) |
| Задержки | CL 3,0-3-3-8 |
| Объём | 512 Мбайт (2 ряда, 4 банка) две стороны |
| Маркировка | PQI25400-1GDBL PC2-5400 512 MB Dual Channel 3-3-3-8 |
| Задержки SPD | |
| DDR2-667 (333 МГц) | CL 5,0-5-5-15 |
| DDR2-533 (266 МГц) | CL 4,0-4-4-12 |
| DDR2-400 (200 МГц) | CL 3,0-3-3-9 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 1,8 – 2,0 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-667, CL 5,0-5-5-15, 1,8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 3,0-3-3-8, 1,8 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-888@888 (444 МГц), 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
Samsung DDR2-667: консервативная память без разгона
Модули Samsung замыкают наше тестирование. И забудьте про разгон: память едва смогла перейти отметку 800 МГц в тестах (мы получили 812 или 406 МГц). В стандартном режиме модули работают с относительно медленной задержкой CL4,0. Впрочем, производителя понять можно: модули нацелены на OEM-сектор, а не на энтузиастов.
Нажмите для увеличения!
| Samsung | |
| Информация производителя | |
| Сайт | samsung.com |
| Рабочая частота | DDR2-667 (PC5300) |
| Задержки | CL 5,0-5-5-5-12 |
| Объём | 512 Мбайт (1 ряд, 4 банка) одна сторона |
| Маркировка | 512MB 1Rx8 PC2-5300U-555-12-D3 CN M378T6553CZ3-CE6 0546 |
| Задержки SPD | |
| DDR2-667 (333 МГц) | CL 5,0-5-5-13 |
| DDR2-533 (266 МГц) | CL 4,0-4-4-11 |
| DDR2-400 (200 МГц) | CL 3,0-3-3-8 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 1,8 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-667, CL 5,0-5-5-13, 1,8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 4,0-4-4-12, 1,8 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-800@812 (406 МГц), 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
Twinmos DDR2-667: медленная память, но хороша в разгоне
У первых полученных модулей случилась неприятность: отпал SMD-конденсатор. Производитель быстро отреагировал и выслал модули на замену. Они показали неплохие результаты разгона: 934 (467 МГц). Но задержка, к сожалению, не опускалась ниже CL4,0.
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
| TwinMOS (Nanya) | |
| Информация производителя | |
| Сайт | twinmos.com |
| Рабочая частота | DDR2-667 (PC5300) |
| Задержки | CL 5,0-5-5-13 |
| Объём | 512 Мбайт (1 ряд, 4 банка) одна сторона |
| Маркировка | P/N:8D-23JK5-9YTZ MODEL NO: 8D23JK-TT 603M65M04230570 PC2-5300 512MB U-DIMM/CL5 |
| Задержки SPD | |
| DDR2-667 (333 МГц) | CL 5,0-5-5-15 |
| DDR2-533 (266 МГц) | CL 4,0-4-4-12 |
| DDR2-400 (200 МГц) | CL 3,0-3-3-9 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 1,8 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-667, CL 5,0-5-5-15, 1,8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 4,0-4-4-12, 1,8 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-667@934 (467 МГц), 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
Wintec (AMP) DDR2-667: 475 МГц при разгоне
Модули Wintec обеспечили работу в режиме CL3,0 с входным напряжением 2,2 В. При меньшем напряжении мы смогли получить только режим CL4,0. Модули неплохо показали себя в наших тестах разгона: 950 (475 МГц) – это хорошее значение, но вот скорость передачи 8,1 Гбайт/с можно признать лишь средней.
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
| Wintec/AMP | |
| Информация производителя | |
| Сайт | wintecind.com |
| Рабочая частота | DDR2-667 (PC5300) |
| Задержки | Нет информации |
| Объём | 512 Мбайт (1 ряд, 4 банка) одна сторона |
| Маркировка | 512M / PC2-5300 39137183K-UA |
| Задержки SPD | |
| DDR2-667 (333 МГц) | CL 3,0-3-3-9 |
| DDR2-533 (266 МГц) | CL 4,0-4-4-12 |
| DDR2-400 (200 МГц) | CL 5,0-5-5-15 |
| Частота обновления | 7,8 мкс, Self-Refresh |
| Напряжение | 1,8 В |
| Результаты тестирования | |
| Тест I (по умолчанию) | DDR2-667, CL 5,0-5-5-15, 1,8 В |
| Тест II (экстремальные задержки) | DDR2-667, CL 3,0-3-3-8, 2,2 В |
| Тест III (разгон по частоте) | DDR2-888@950 (475 МГц), 2,2 В |
Нажмите для увеличения!
Нажмите для увеличения!
Заключение
Выбирать память DDR2 нелегко. За некоторые модули просят весьма немалые деньги, а их спецификации часто далеки от действительности. После трёх недель тестирования модулей от 16 разных производителей мы определились в рекомендациях: сегодня Corsair предлагает на рынке самые быстрые модули DDR2. Конечно, стоят они не дёшево и нацелены на оверклокеров, зато и прирост производительности получается соответствующий. Единственным конкурентом можно считать новичка на рынке – компанию Patriot Memory, чьи модули DDR2-1000 тоже порадовали. Действительно, оба производителя обеспечивают пропускную способность памяти 8,6 Гбайт/с, да и модули легко заработали на частоте 500 МГц.
Какой модуль выбрать? Конечно, сегодня можно найти 1-Гбайт модуль по цене $60 и получить приличную производительность. Но дёшево – не сердито. Дорогие модули от Corsair или Patriot Memory смогут дать гораздо больше.
Если вы ищите оптимальное соотношение цена/производительность, то обратите внимание на недорогую линейку памяти Infineon Aeneon. Этот производитель выслал нам только модули DDR2-533, но они впечатлили хорошим потенциалом разгона, достигнув частоты 406 МГц (DDR2-812). Возникает вопрос: на что же способны модули с маркировкой DDR2-667 от этого производителя? Да и модули A-Data оказались приятным сюрпризом: они продемонстрировали рекордное значение записи данных 3,2 Гбайт/с во время тестирования.
При частотах по умолчанию (DDR2-667 или 333 МГц) хорошие модули памяти дают 7,5 Гбайт/с на чтение и 2,5 Гбайт/с на запись. Если разогнать модули, то можно получить 8,6 Гбайт/с на чтение и 3,1 Гбайт/с на запись. Самыми слабыми модулями при частотах по умолчанию оказались DIMM от Geil, выйдя в аутсайдеры. Кроме того, TakeMS тоже оказался сплошным разочарованием, заработав на частоте всего 200 МГц (DDR2-400). По этой причине мы не включили модули этой компании в тесты.
Что интересно, не все модули памяти изготовлены производителями от начала и до конца. По нашей информации, только A-Data, Aeneon (Infineon), Crucial/Micron и Samsung самостоятельно производят чипы памяти.
Некоторые производители, вроде той же TakeMS, закупают чипы памяти и меняют маркировку с помощью лазерной гравировки. Другие не идут на подобный шаг и используют чипы с оригинальной маркировкой, наклеивая на модули собственные листки со спецификациями. Компании вроде Kingston покупают подложки с чипами памяти, после чего вырезают и упаковывают чипы самостоятельно.
В грядущем стрессовом тесте мы тщательно проверим, как будут работать протестированные в статье модули. Мы закупим модули Corsair, Patriot Memory и A-Data напрямую в розничных каналах и анонимно. Результаты обещают быть интересными.
