РЕКЛАМА
ИНФОРМАЦИЯ
ПОЛЕЗНЫЕ ССЫЛКИ
Тесты десяти модулей памяти DDR3-1333: разгон и минимальные задержки

Память DDR3-1800: модули от Corsair и OCZ

Эталонная тестовая платформа THG в 2008 году

Rambler's Top100 Рейтинг@Mail.ru

МАТПЛАТЫ

Тесты семи модулей экстремальной памяти DDR3: разгон до DDR3-1900
Краткое содержание статьи: Память DDR3, способная работать на очень высоких частотах до DDR3-1900, придётся как нельзя кстати для экстремального разгона систем путём значительного повышения частоты FSB, когда доступные делители памяти просто не могут обеспечить низкие частоты RAM. В таких случаях выручают модули экстремальной памяти для энтузиастов, семь комплектов которой мы протестировали. Предлагаем ознакомиться с тестами памяти для оверклокеров от Corsair, Crucial Ballistix, Patriot, Chaintech, Kingston, Supertalent.

Тесты семи модулей экстремальной памяти DDR3: разгон до DDR3-1900


Редакция THG,  16 февраля 2008
Назад
Вы читаете страницу 1 из 8
1 2 3 4 5 6 7 8
Далее


Введение: высокие цены и мизерный прирост производительности

Введение: высокие цены и мизерный прирост производительности

Память DDR3 была представлена всего чуть больше полгода тому назад, чтобы вытеснить технологию DDR2. Хотя комитет Joint Electronic Device Engineering Council (JEDEC) указал скорости от DDR3-800 до DDR3-1600, производители памяти уже превзошли эти скорости на 20% - и это ещё не предел. Конечно, DDR3 на скоростях 1066 и 1333 всё ещё далеко до завоевания массового рынка из-за высоких цен, которые намного превышают DDR2-800, но производители памяти для энтузиастов уже предлагают модели DDR3-1600, а некоторые даже анонсировали продукты DDR3-2000. Недавно мы рассмотрели комплекты памяти DDR3-1333, теперь же настало время high-end наборов.

Память для энтузиастов стала популярной тогда, когда разгон стал своего рода популярным видом спорта. Когда AMD и Intel ограничили изменение множителя процессора, чтобы пользователи не запускали CPU на частотах выше штатных, производители материнских плат предложили путь к обходу этого ограничения. Действительно, для увеличения частоты CPU можно поднимать другую переменную в уравнении, а именно, частоту системной шины. Таким образом, повышая частоту FSB (Front Side Bus), разгоняя её, можно обойти ограничения производителей CPU. При этом, в качестве дополнительного бонуса, получив более высокую пропускную способность шины. Кроме того, и шина памяти будет разгоняться соответствующим образом, поскольку и она зависит от системной шины (или частоты процессора, если мы говорим об AMD). Если поначалу производители памяти не очень охотно и быстро отвечали на нужды оверклокеров, то сегодняшние предложения показывают себя по тактовым частотам просто великолепно. Память для оверклокеров позволяет добиться максимального разгона системы, повысив и пропускную способность памяти, что влияет на общую производительность.

Благодаря таким технологиям энергосбережения, как "AMD Cool'n'Quiet" и "Intel Enhanced Speedstep", все современные процессоры могут работать не только со штатным множителем, но и на меньших значениях: функции энергосбережения связаны со снижением частоты процессора. Это позволяет увеличить частоту FSB, снизив множитель процессора, чтобы получившаяся частота CPU была в реалистичных пределах. Поэтому можно достичь комбинации скоростных системной шины и шины памяти, а также высокой частоты CPU.

Рынок памяти для энтузиастов медленно, но верно упёрся в некоторые ограничения, поскольку превосходство супербыстрой памяти над обычными продуктами снижется. Это означает, что прилично разогнанный процессор покажет разницу в производительности всего лишь в несколько процентов, если сменить обычную память DDR3-1333 на более скоростную DDR3-1800 (см. тесты в конце статьи). Основная причина этого кроется в очень эффективной системе кэширования современных процессоров: чем лучше реализована иерархия кэша, тем меньше влияние частоты памяти.

Вместе с тем, перед high-end памятью встают те же проблемы, что и перед всеми топовыми продуктами: высокие частоты памяти можно получить только при существенно увеличенном напряжении памяти, поэтому производителям модулей приходится тщательно отбирать микросхемы памяти, произведённые Elpida, Hynix, Micron, Qimonda и Samsung. В итоге получающиеся модули памяти могут стоить в несколько раз дороже, чем DIMM для массового рынка. Некоторые производители памяти покупают целые подложки, из которых самостоятельно отбирают, вырезают и упаковывают чипы. Другие производители покупают уже отобранную память или даже готовые модули памяти.

Основы памяти DDR3

Память DDR3 технически очень похожа на DDR2. Она тоже поддерживает терминацию, но на каждом кристалле, а не на материнской плате. Опциональные датчики температуры могут регулировать терминацию в соответствии с условиями работы. Кроме того, новая память работает от напряжения 1,5 В вместо 1,8 В.

Если память DDR3 по-прежнему базируется на той же базовой тактовой частоте до 200 МГц и технологии удвоенной передачи данных за такт (то есть данные передаются на подъёме и спаде тактового импульса), то размер prefeth у DDR3 был увеличен до восьми битов. Это привело к удвоению тактовой частоты интерфейса по сравнению с DDR2 (prefetch четыре бита) и учетверению производительности по сравнению с DDR1 (prefetch два бита). Поэтому и скорости составляют от DDR3-800 до DDR3-1600, хотя тактовая частота памяти DDR3-1600 по-прежнему 200 МГц.

Для 8-битного prefetch, усилителей чтения/записи, терминации на кристалле и архитектуры с адресацией памяти через DQS (data queue strobe) необходимо дополнительное пространство на чипе. Поэтому 1-Гбит и, особенно, 512-Мбит чипы DDR3 не такие эффективные с точки зрения ёмкости на площадь кристалла. На данный момент Qimonda поставляет 512-Мбит чипы DDR3, изготовленные по 75-нм техпроцессу. Samsung Semiconductor производит 1-Гбит DDR3 SDRAM по 80-нм техпроцессу, одновременно переходя на 68-нм техпроцесс. Micron уже работает над 78-нм техпроцессом, поставляя 2-Гбит чипы DDR3. Hynix тоже практически готова к переходу на 66-нм техпроцесс для 2-Гбит чипов. Ситуация такова, что переход на меньшие техпроцессы позволяет производителям памяти предлагать чипы с большей ёмкостью, которые ещё и обладают меньшим энергопотреблением, да и появляются возможности увеличения тактовых частот. Поэтому память DDR3 вряд ли продвинется вперёд до тех пор, пока 2-Гбит чипы DDR3 не станут массовыми, что позволит производить 2-Гбайт модули DDR3 по приемлемой цене.

DIMM DDR2 и DDR3 используют 240 контактов, однако выступ был передвинут, чтобы потребители не путали память DDR2 и DDR3. В остальном, переход с DDR2 на DDR3 довольно прост и требует только соответствующего контроллера памяти. Увеличение prefetch является основной причиной более высоких задержек, которые можно наблюдать у разных модулей DDR3. У DDR1 мы привыкли к задержке 2, 2,5 или 3 тактовых импульса для CAS, а у DDR2 - к 3-5 импульсам. DDR3 требует не меньше пяти тактовых импульсов для той же процедуры из-за более сложной схемы с 8-битным prefetch. Конечно, некоторые задержки действительно увеличиваются, однако повышение тактовой частоты потенциально нивелирует повышение задержек. Если тактовые частоты будут удваиваться вместе с удвоением задержек, то есть, например, если сравнить DDR2-800 на CL4 и DDR3-1600 на CL8, ничего в реальности не произойдёт.

Прирост производительности при переходе с одного поколения памяти на другое никогда не был очень уж значимым, хотя теоретическая пропускная способность заметно возрастала. Память PC3200 (DDR400) обеспечивала пиковую теоретическую пропускную способность 3,2 Гбайт/с, DDR2-800 называют PC2-6400, поскольку пропускная способность выросла до 6,4 Гбайт/с, а у DDR3-1600 она соответствует PC3-12800 с пропускной способностью 12,8 Гбайт/с. Поскольку настольные ПК обычно работают с двухканальной памятью, то в реальности пропускная способность памяти выше: 6,4 Гбайт/с для двухканальной DDR400, 12,8 Гбайт/с для DDR2-800 и 25,6 Гбайт/с для DDR3-1600. Сегодня большой размер кэша у процессора позволяет хранить больше данных в кэше и реже обращаться к памяти, поэтому скорость памяти играет уже не такую большую роль.
Назад
Вы читаете страницу 1 из 8
1 2 3 4 5 6 7 8
Далее


СОДЕРЖАНИЕ

Отзывы об экстремальных модулях DDR3 в Клубе экспертов THG [ 5 отзывов] Отзывы об экстремальных модулях DDR3 в Клубе экспертов THG [ 5 отзывов]


РЕКЛАМА
РЕКОМЕНДУЕМ ПРОЧЕСТЬ!

История мейнфреймов: от Harvard Mark I до System z10 EC
Верите вы или нет, но были времена, когда компьютеры занимали целые комнаты. Сегодня вы работаете за небольшим персональным компьютером, но когда-то о таком можно было только мечтать. Предлагаем окунуться в историю и познакомиться с самыми знаковыми мейнфреймами за последние десятилетия.

Пятнадцать процессоров Intel x86, вошедших в историю
Компания Intel выпустила за годы существования немало процессоров x86, начиная с эпохи расцвета ПК, но не все из них оставили незабываемый след в истории. В нашей первой статье цикла мы рассмотрим пятнадцать наиболее любопытных и памятных процессоров Intel, от 8086 до Core 2 Duo.

ССЫЛКИ
Реклама от YouDo
Доставка лекарств ночью, подробнее http://courier.youdo.com/drugs-delivery/crr/dostavka-lekarstv-nochyu/.
YouDo: https://youdo.com/lp-remont-gazovih-plit-Indesit/: подробности по ссылке.
YouDo: https://youdo.com/lp-remont-uvlagniteley-vozduha-boneco/ - быстро и недорого.