| ||||
Введение
Если вы читаете эту статью, то наверняка хотя бы чуть-чуть представляете себе, как увеличить производительность подсистемы памяти. Но что выбрать: память с прекрасными задержками и обычной частотой, либо память с большими задержками, но с повышенной частотой? Да и вообще, насколько задержки и тактовая частота влияют на производительность компьютера?
С точки зрения объёма памяти, для high-end компьютера лучшим выбором сегодня станет пара модулей по 1 Гбайт, как мы уже показывали в статье "". Оперативная память должна предоставлять достаточно места для работы приложений, чтобы Windows не использовала файл подкачки (swap) на жёстком диске. В этом отношении достаточный объём памяти намного важнее её частоты или задержек. Единственное, что мы рекомендуем, так это устанавливать модули памяти парами, что позволяет включить двухканальный режим (где он есть).
Но современные 1-Гбайт модули памяти DDR не поддерживают столь же жёстких задержек или высоких тактовых частот, как их 512-Мбайт собраться. Поэтому и выбор между задержками и частотами будет ограничен. Что же касается памяти DDR2, которая начнёт доминировать к концу этого года, то ситуация ещё хуже. Задержки DDR2 ещё больше увеличены, дабы не мешать повышению тактовых частот.
Даже не вдаваясь в то, что значит та или иная задержка, можно следовать простому правилу: чем меньше задержки, тем быстрее работает память. Например, память DDR работает в режимах между CL2-2-2-5 и CL3-4-4-7, а память DDR2 меняет режим от CL3-2-2-8 до CL5-5-5-15. Последняя, в принципе, поддерживает задержки в два раза большие по сравнению с памятью DDR1, именно поэтому память DDR2 должна работать на существенно более высоких частотах, чтобы обходить DDR1 по производительности.
Для анализа производительности памяти мы выбрали систему на AMD Athlon 64, поскольку здесь контроллер памяти встроен в процессор и весьма ощутимо реагирует на скорость памяти и задержки. Мы решили исследовать разницу в производительности при изменении следующих параметров.
- Частота CPU: от 1450 МГц до 2610 МГц.
- Частота памяти: от 200 до 290 МГц.
- Задержки памяти: от CL2,0-2-2-5 до CL3,0-4-4-7.
Кроме того, мы исследуем масштабирование производительности при различных частотах и задержках.
Характеристики памяти
В следующей таблице приведены два наиболее популярных среди оверклокеров типа чипов памяти и их спецификации.
| Популярные типы памяти | |||
| Чипы памяти | Задержки | Частоты | Напряжение |
| Winbond BH-5/BH-6/UTT | CL1,5 или 2,0-2-2-5 | 400-500 МГц | 2,5 - 3,8 В |
| Samsung TCC5/TCCD | CL1,5 или 2,0-2-2-5 CL2,5 или 3,0-4-4-7/8 |
400 МГц 500-600 МГц |
2,5 - 2,9 или 3,0 В |
Как видим, разница между чипами есть. Чипы Samsung TCC5/TCCD можно назвать более гибкими, нежели чипы Winbond, так как они могут работать при низких частотах с жёсткими задержками, а также на высоких частотах и увеличенных задержках. Но чипы Winbond дают более высокие частоты по сравнению с Samsung, если строго придерживаться задержек 2.0-2-2-5. Конечно, если ваша материнская плата даст необходимое напряжение питания.
На практике память 2x 512 Мбайт от Winbond достигает 250 МГц или даже 270 МГц при задержках CL2,0-2-2-5, а память 2x 512 Мбайт от Samsung может заработать даже на 300 МГц или больше при задержках CL2,5-4-3-7, CL2,5-4-4-8 или CL3,0-4-4-8.
Тестовая память: G.Skill F1-4400DSU2-1GBFC
Поскольку мы исследуем влияние задержек и частоты на производительность, то мы выбрали память на основе чипов Samsung TCC5/TCCD. Они позволят протестировать более широкий ассортимент режимов.
Тайваньский производитель памяти G.Skill выслал в нашу лабораторию два 512-Мбайт модуля F1-4400DSU2-1GBFC. Они маркированы PC4400 (DDR550) при задержках CL2,5-4-4-8, а компания пытается вынести на массовый рынок модули с производительностью, достойной оверклокеров.
Конечно, производительность меняется от одного модуля к другому, да и зависит она от материнской платы, версии BIOS, настроек BIOS и использованного процессора. В нашем случае модули стабильно работали в режимах от 2,0-2-2-6 при 203 МГц до 2,5-4-3-7 при 300 МГц.
