| ||||
Заключение по тестам
По результатам наших тестов можно сделать следующие заключения.
- Между памятью с низкими частотами и низкими задержками (Winbond) и памятью с высокими задержками и высокими частотами (Samsung) разница в реальной производительности невелика. Это верно для 3DMark01 и SuperPI. И даже для приложений, чувствительных к производительности CPU/подсистемы памяти.
- Чтобы правильно ответить на поставленный в нашей статье вопрос выбора между низкими задержками или высокими тактовыми частотами, следует взять очень быстрый CPU, не создающий "узких мест". По нашему мнению, даже разогнанного до 2610 МГц двуядерного Opteron было недостаточно, чтобы выжать максимум из низких задержек памяти.
- Учитывая два указанных выше факта, проведение тестов только с памятью Samsung и экстраполяция (вместо сравнения с памятью Winbond) не даёт достаточно точных данных для полного ответа. По нашим расчётам, различие между CL2,0-2-2-6 при 270 МГц и CL3,0-4-4-7 при 320 МГц в SuperPI 8M колеблется от 0,7% до 0,5% в обоих направлениях, в зависимости от того, как масштабируется производительность.
- Тесты показывают, что при повышении частоты CPU низкие задержки становятся более важными. Так что потенциально память Winbond способна работать на 1-2% быстрее памяти Samsung в системах Athlon 64/Opteron при частоте CPU более 3 ГГц. Конечно, Winbond больше не является активным игроком на рынке памяти DDR1, так что придерживаться этой памяти будет весьма сомнительно.
- В зависимости от тактовых частот CPU, низкие задержки дают преимущество по производительности по сравнению с высокими задержками в приложениях, чувствительных к CPU/подсистеме памяти, начиная от 2% при 2 ГГц и заканчивая 6% при 2,6 ГГц.
- Если не менять задержки памяти при частотах 2 ГГц или 2,6 ГГц, соответственно, то память DDR600 будет работать на 2% или 5% лучше, чем DDR400 в приложениях, чувствительных к CPU/подсистеме памяти.
- Что касается памяти Samsung TCC5/TCCD, то подобно установленной в модулях G.Skill F1-4400DSU2-1GBFC, DDR600 при средних задержках обгоняет DDR400 при низких задержках. DDR600 при высоких задержках работает примерно на том же уровне, что и DDR400 при низких задержках (+/- 1%).
Заключение
К сожалению, сделать громкие заявления по результатам наших тестов не получится. Мы могли бы продолжить эту статью, взяв боле скоростной CPU и память Winbond. Но память Winbond с высоким напряжением уже не производится, разница в производительности окажется мизерной, да и переход на пару модулей по 1 Гбайт идёт полным ходом. Наконец, AMD вскоре представит процессоры под DDR2. С учётом всех описанных фактов, вряд ли имеет смысл напрягаться.
Для большинства пользователей преимущество в 1-2% при сравнении памяти Winbond с Samsung будет незаметно. По сути, мы бы не советовали тратить много денег на high-end память в надежде существенно увеличить производительность ПК, повысив частоты памяти. Как мы уже отмечали выше, при сохранении задержек и частоты CPU в 2,6 ГГц, память DDR600 работает на 5% лучше DDR400 в тестах, чувствительных к CPU/подсистеме памяти. Согласитесь, очень слабый прирост при увеличении частоты памяти на 50%. Кроме того, при низких частотах CPU прирост будет ещё меньше. В современных играх, которые упираются в производительность видеокарт, прирост производительности снизится до нуля, ведь даже существенное изменение частоты CPU на играх сказывается не всегда.
Итог таков: если вы обзавелись достаточным количеством памяти (сегодня лучше оснастить систему 2 Гбайт), то особо не задумывайтесь. Деньги, которые вы заплатите за более производительную память, лучше вложить в более скоростную видеокарту. А если вы не играете, то в процессор или жёсткий диск.
 |
