|
Обзор SSD Samsung 845DC EVO | Знакомимся с накопителем, созданным для высоких скоростей чтения
Иногда имя устройства значит намного больше, чем кажется на первый взгляд, и из названия Samsung 845DC EVO тоже можно почерпнуть немало информации о том, что представляет из себя сам продукт. Как и в случае с накопителями
Прежде чем ознакомиться с новинкой, давайте вспомним о накопителе
Когда память TLC NAND была только разработана, ряд экспертов высказывал опасения насчёт её выносливости при перезаписи, и многих отпугивало ограниченное количество циклов P/E (записи/стирания), и в случае накопителей меньшей ёмкости, эти опасения в большинстве своём подтвердились. Но нельзя судить обо всех устройствах, экстраполируя проблемы с выносливостью ячейки на весь накопитель. К тому же многие энтузиасты считают, что двухбитная MLC хороша для 5000-10000 циклов, хотя это было так 3-4 года назад. Сейчас количество циклов перезаписи ячеек MLC на базе техпроцесса 20 нм приближается к 3000.
Уменьшение физических размеров ячеек негативно влияет на выносливость памяти в операциях записи, но производители SSD-накопителей применяют различные способы, чтобы бороться с данным явлением. Первый способ – просто добавить больше NAND-памяти. Если степень снижения цены выше, чем степень снижения выносливости при операциях записи, то увеличение количества кристаллов NAND-памяти может помочь компенсировать негативный эффект за счёт увеличенного объёма зарезервированного пространства или большей ёмкости. То есть, чисто математически, смысл данного подхода - распространить процесс записи на большее количество ячеек. Во-вторых, можно подумать над способами оптимизации прошивки контроллера. Стремительное развитие в последнее время получили такие функции, как нивелирование износа ячеек, "сборка мусора" и TRIM, позволяя производителям SSD-накопителей увеличить срок службы своих устройств. Таким образом, в статье
Судя по всему, некоторые опасения по поводу TLC-памяти задели за живое компанию Samsung, и на этот раз она не особо подчёркивает факт использования памяти TLC. Модель Samsung 845DC EVO оснащена трёхбитной памятью Toggle-mode MLC NAND на базе техпроцесса 19 нм. Звучит лучше? Также Samsung избегает вопроса о выносливости памяти при операциях записи, адаптируя свой новейший накопитель в тех средах, где наиболее востребованы операции чтения. Эта категория накопителей буквально переполнена новыми устройствами, а наиболее заметной из последних моделей стала Intel SSD DC S3500.
Технические характеристики Samsung 845DC EVO | |||
Ёмкость | 240 Гбайт | 480 Гбайт | 960 Гбайт |
Интерфейс | SATA 6 Гбит/с | SATA 6 Гбит/с | SATA 6 Гбит/с |
Форм-фактор | 2,5 дюйма, 7 мм | 2,5 дюйма, 7 мм | 2,5 дюйма, 7 мм |
Скорость последовательного чтения, Мбайт/c | 530 | 530 | 530 |
Скорость последовательной записи, Мбайт/c | 270 | 410 | 410 |
Скорость произвольного чтения блоками по 4 Кбайт, IOPS | 87000 | 87000 | 87000 |
Скорость произвольной записи блоками по 4 Кбайт, IOPS | 12000 | 14000 | 14000 |
Максимальное энергопотребление, Вт | 3,8 Вт | 3,8 Вт | 3,8 Вт |
Уровень выносливости (TBW) | 150 TB | 300 TB | 600 TB |
Наработка на отказ (надёжность) | 2 млн.часов | 2 млн.часов | 2 млн.часов |
Гарантия | 5 лет | 5 лет | 5 лет |
Спецификации нового накопителя можно назвать конкурентоспособными по сравнению с техническими характеристиками других SSD, которые ориентированы на операции чтения. Особенности нового продукта заставили нас поверить в то, что Samsung 845DC EVO опережает мощный Intel SSD DC S3500 в каждой из категорий, включая выносливость (несмотря на трёхбитный тип памяти). Уровень выносливости у устройства Intel ёмкостью 240 Гбайт составляет 140 TBW, а у модели с объёмом памяти 480 Гбайт - 275 TBW.
На данный момент одним из главных критериев, которого не хватает для полной картины, является стоимость. Как и в случае с выпуском продукции корпоративного уровня, даже при запросе этой информации у Samsung мы не сможем её опубликовать, а значит, будет очень непросто узнать его ценность для покупателей. Что ж, давайте зайдём с другой стороны. Когда появился Samsung SM843, являвшийся вариацией
Обзор SSD Samsung 845DC EVO | Накопитель изнутри
Внутренняя часть накопителя заставляет снова вспомнить об обзоре модели
Контроллер у новинки тот же, что и у
В самой вместительной модели Samsung 845DC EVO имеется 1 Гбайт кэш-памяти LPDDR2 DRAM.
Как уже говорилось ранее, Samsung 845DC EVO оснащён трёхбитной памятью NAND. Наш образец для тестирования ёмкостью 960 Гбайт содержит 1024 гибибайт чистой флэш-ёмкости. Любой из модулей на плате имеет 8 кристаллов по 16 гибибайт каждый. Резервная ёмкость больше, чем у
На картинке выше вы видите часть конденсаторов, предназначенных для защиты от сбоев питания (всего их 23), которых хватит контроллеру для того, чтобы в случае сбоя очистить очередь записи.
В целом, Samsung использует эталонную конструкцию накопителя, внося изменения лишь тогда, когда это уж очень необходимо. В конце концов,