|
Обзор SSD Samsung 850 Pro | Знакомимся с V-NAND
Нам очень нравится
Мы, конечно, не являемся фанатами трёхбитных ячеек памяти из-за их низкой степени устойчивости к перезаписи, высоких показателей задержки и склонности к ошибкам. Однако в случае
Какова же позиция нового Samsung 850 Pro в списке накопителей?
Для начала производитель оставил контроллер MEX, на базе которого работает
Основное изменение связано с новой памятью Samsung 3D V-NAND, которая представляет собой радикальное изменение конструкции и принципов разработки флэш-памяти. В прошлом году на мероприятии Flash Memory Summit 2013 мы прослушали основной доклад доктора Е.С. Юнга, вице-президента центра разработки и изучения полупроводников от корпорации Samsung. Своим многочисленным слушателям он представил флэш-технологию нового поколения. На мероприятиях типа FMS доклады редко вызывают бурю аплодисментов, однако преимущества и усовершенствования, которые обещала V-NAND, имеют значительные для отрасли последствия, так что такая реакция была объяснима.
Если коротко: некоторое время назад мы слышали, что сейчас NAND уже не может развиваться так быстро, как раньше (также мы слышали про завершение действия закона Мура). Однако для преодоления барьеров на пути прогресса неизменно появляются новые технологии. Как это часто бывает, при уменьшении размера NAND-ячейки стали более склонны к ошибкам. Количество циклов стирания/записи, которые они могут выдержать, стремительно падает, и операции в одном месте массива ячеек могут вызвать могут привести к непредвиденным последствиям в соседних ячейках.
Технология V-NAND компонует 32 ячейки вертикально в цилиндрические "стержни". В то время как в пластинах NAND соседние ячейки выстраиваются в линии, затем несколько линий совмещаются и создают одну матрицу, V-NAND можно представить как стопку чипсов Pringles в пачке. Там, где две банки объединяются вертикально, мы имеем числовую шину. Соединив каждый столбик картофельных чипсов вместе, как телефонные столбы, мы получим разрядную шину. В таком виде технология ещё похожа на знакомую нам NAND. Однако укладка столбов выше понижает помехи между ячейками, которые возникают в плоской NAND-памяти.
Так Samsung намеревается продолжить уменьшать размеры устройств, хотя, предположительно, V-NAND также отличается более высокой скоростью и энергоэффективностью. Кроме того, технология позволяет более рационально использовать реальное доступное в модуле пространство. Если строить в высоту, а не в ширину, то на одинаковой площади можно сделать гораздо больше. По этой причине в шкафу устанавливают полки. Технология V-NAND провела годы в разработке и теперь стала основным козырем нового твердотельного накопителя Samsung 850 Pro.
Данная технология - главное новшество нашего SSD. Он использует проверенный контроллер MEX с частотой 400 МГц и массив флэш-памяти V-NAND. Благодаря усовершенствованиям, Samsung 850 Pro должен обеспечивать более высокую скорость операций ввода/вывода при меньшем потреблении энергии. Вряд ли скорость по сравнению с
Модель | Samsung EVO 850 Pro (128 Гбайт) | Samsung EVO 850 Pro (256 Гбайт) | Samsung EVO 850 Pro (512 Гбайт) | Samsung EVO 850 Pro (1024 Гбайт) |
Контроллер | Samsung MEX (SLNO45X01 - 8030) SATA 6 Гбит/с, 400 МГц, ИС ARM на базе Cortex R4 | Samsung MEX (SLNO45X01 - 8030) SATA 6 Гбит/с, 400 МГц, ИС ARM на базе Cortex R4 | Samsung MEX (SLNO45X01 - 8030) SATA 6 Гбит/с, 400 МГц, ИС ARM на базе Cortex R4 | Samsung MEX (SLNO45X01 - 8030) SATA 6 Гбит/с, 400 МГц, ИС ARM на базе Cortex R4 |
NAND-память | Samsung V-NAND, 32 уровня | Samsung V-NAND, 32 уровня | Samsung V-NAND, 32 уровня | Samsung V-NAND, 32 уровня |
Форм-фактор | 2,5 дюйма, 7 мм | 2,5 дюйма, 7 мм | 2,5 дюйма, 7 мм | 2,5 дюйма, 7 мм |
Скорость последовательного чтения/записи, Мбайт/с | 550/470 Мбайт/c | 550/520 Мбайт/c | 550/520 Мбайт/c | 550/520 Мбайт/c |
Кол-во произвольных операций чтения/записи блоками 4 Кбайт (глубина очереди=1) | 10 000/36 000 | 10 000/36 000 | 10 000/36 000 | 10 000/36 000 |
Кол-во произвольных операций чтения/записи блоками 4 Кбайт (глубина очереди=32) | 100 000/90 000 | 100 000/90 000 | 100 000/90 000 | 100 000/90 000 |
Питание в режиме DevSlp, мВ | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 |
Гарантия | 10 лет/150 Тбайт записи | 10 лет/150 Тбайт записи | 10 лет/150 Тбайт записи | 10 лет/150 Тбайт записи |
Другие функции | RAPID, температурный троттлинг | RAPID, температурный троттлинг | RAPID, температурный троттлинг | RAPID, температурный троттлинг |
Цена | $130 | $230 | $430 | $730 |
Исходя из спецификаций, можно сказать, что скорость произвольных операций ввода/вывода блоками 4 Кбайт при очерёдности в одну команду мало чем отличается от скорости
Samsung отказалась предоставить более подробную информацию по новой NAND-памяти, поэтому нам трудно комментировать определённые архитектурные решения, например, количество кристаллов. Однако на Samsung 850 Pro распространяется гарантия сроком 10 лет, что является следствием последних достижений компании SanDisk.
И последнее. Samsung утверждает, что энергопотребление Samsung 850 Pro в режиме DevSlp снизилось до 2 мВ. Мы проверим этот параметр на специальном оборудовании и поделимся с вами результатом. Согласно характеристикам, потребление энергии в активном простое снизилось приблизительно на 0,4 Вт. Эти цифры нас не удивляют, особенно если учесть, что компания всегда делает расчёт на высокую эффективность.
В следующем разделе мы вскроем накопитель и посмотрим на него изнутри.
Обзор SSD Samsung 850 Pro | Samsung 850 Pro изнутри
Корпус новой модели не отличается от Samsung 840. Он характеризуется гораздо более удобным доступом к внутренним элементам, нежели Samsung 830, однако для откручивания винтов понадобится отвёртка c пятигранным наконечником. Кроме того, при вскрытии разрывается наклейка, и вы теряете гарантию.
По аналогии с
Накопитель ёмкостью 1024 Гбайт (слева) имеет чуть более длинную плату, с каждой стороны которой установлено по четыре модуля. Модель на 128 Гбайт (справа) имеет всего четыре модуля памяти.
Ниже плата показана более крупным планом:
Не находите контроллер MEX привлекательным? В версии SSD на 1024 Гбайт 1 ГиБ памяти LPDDR2 над ним выглядит, как нелепая нашлёпка. Семейство накопителей Samsung Pro оснащается 1 Мбайт кэша на гигабайт ёмкости, таким образом, модели на 128 и 256 Гбайт имеют по 128 и 256 Мбайт DRAM соответственно.
Без обновлённого декодера расшифровать модельный номер NAND-памяти нам не удалось. Пока можем лишь сказать, что все модули произведены компанией Samsung. Мы пытались раскопать больше информации, но, похоже, для этого придётся ехать в Южную Корею.
Обзор SSD Samsung 850 Pro | Как мы тестируем Samsung 850 Pro
Наша тестовая платформа основана на чипсете Intel Z77 с CPU Intel Core i5-2400. C точки зрения хранения данных, чипсеты Intel шестой и седьмой серии практически идентичны. Мы используем более старую версию драйверов RST 10.6.1002.
Изменения в пакетах драйверов RST могут иногда вести к небольшим изменениям в скорости. Также они могут стать причиной большой вариативности в показаниях, в зависимости от версии драйвера. Некоторые версии драйверов могут "впускать" операции записи с различной частотой. Другие лучше работают с RAID-массивами. Кстати, версии драйверов 11.2 и выше поддерживают TRIM-операции и в RAID. Результаты тестирования, полученные на системах с одной версией драйверов, могут отличаться или не отличаться от результатов при использовании другой версии, поэтому важно применять одну и ту же версию драйверов в рамках одного тестирования.
Конфигурация тестового стенда | |
Процессор | Intel Core i5-2400 (Sandy Bridge), 32 нм, 3,1 ГГц, LGA 1155, 6 Мбайт общего кэша L3, режим Turbo Boost включён |
Материнская плата | Gigabyte G1.Sniper M3 |
Память | G.Skill Ripjaws 8 Гбайт (2 x 4 Гбайт) DDR3-1866 @ DDR3-1333, 1,5 В |
Системный диск | Intel S3500 480 Гбайт SATA 6 Гбит/с, Версия прошивка: 0306 |
Тестируемые накопители | Samsung 850 Pro 128 Гбайт SATA 6 Гбит/с, Версия прошивка: EXM01B6Q Samsung 850 Pro 256 Гбайт SATA 6 Гбит/с, Версия прошивка: EXM01B6Q Samsung 850 Pro 1024 Гбайт SATA 6 Гбит/с, Версия прошивка: EXM01B6Q |
Устройства для сравнения | Plextor M6e 256 Гбайт M.2 PCIe x2, Версия прошивка: 1.00 Plextor M6S 256 Гбайт SATA 6 Гбит/с, Версия прошивка: 1.00 Plextor M6M 256 Гбайт mSATA 6 Гбит/с, Версия прошивка: 1.00 Adata SP920 1024 Гбайт SATA 6 Гбит/с, Версия прошивка: MU01 Adata SP920 512GB SATA 6 Гбит/с, Версия прошивка: MU01 Adata SP920 256 Гбайт SATA 6 Гбит/с, Версия прошивка: MU01 Adata SP920 128 Гбайт SATA 6 Гбит/с, Версия прошивка: MU01 Crucial M550 1024 Гбайт SATA 6 Гбит/с, Версия прошивка: MU01 Crucial M550 512 Гбайт SATA 6 Гбит/с, Версия прошивка: MU01 Intel SSD 730 480 Гбайт SATA 6 Гбит/с, Версия прошивка: L2010400 Samsung 840 EVO mSATA 120 Гбайт, Версия прошивка: EXT41B6Q Samsung 840 EVO mSATA 250 Гбайт, Версия прошивка: EXT41B6Q Samsung 840 EVO mSATA 500 Гбайт, Версия прошивка: EXT41B6Q Samsung 840 EVO mSATA 1000 Гбайт, Версия прошивка: EXT41B6Q SanDisk X210 256 Гбайт, Версия прошивка X210400 SanDisk X210 512 Гбайт, Версия прошивка X210400 Intel SSD 530 180 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: DC12 Intel SSD 520 180 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: 400i Intel SSD 525 180 Гбайт mSATA, Версия прошивка: LLKi SanDisk A110 256 Гбайт M.2 PCIe x2, Версия прошивка: A200100 Silicon Motion SM226EN 128 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: M0709A Crucial M500 120 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: MU02 Crucial M500 240 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: MU02 Crucial M500 480 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: MU02 Crucial M500 960 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: MU02 Samsung 840 EVO 120 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: EXT0AB0Q Samsung 840 EVO 240 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: EXT0AB0Q Samsung 840 EVO 480 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: EXT0AB0Q Samsung 840 EVO 1 TB SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: EXT0AB0Q SanDisk Ultra Plus 64 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: X211200 SanDisk Ultra Plus 128 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка X211200 SanDisk Ultra Plus 256 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка X211200 Samsung 840 Pro 256 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка DXM04B0Q Samsung 840 Pro 128 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка DXM04B0Q SanDisk Extreme II 120 Гбайт, Версия прошивка: R1311 SanDisk Extreme II 240 Гбайт, Версия прошивка: R1311 SanDisk Extreme II 480 Гбайт, Версия прошивка: R1311 Seagate 600 SSD 240 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: B660 Intel SSD 525 30 Гбайт mSATA 6Гбит/с, Версия прошивка LLKi Intel SSD 525 60 Гбайт mSATA 6Гбит/с, Версия прошивка LLKi Intel SSD 525 120 Гбайт mSATA 6Гбит/с, Версия прошивка LLKi Intel SSD 525 180 Гбайт mSATA 6Гбит/с, Версия прошивка LLKi Intel SSD 525 240 Гбайт mSATA 6Гбит/с, Версия прошивка LLKi Intel SSD 335 240 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: 335s Intel SSD 510 250 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: PWG2 OCZ Vertex 3.20 240 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: 2.25 OCZ Vector 256 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: 2.0 Samsung 830 512 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: CXMO3B1Q Crucial m4 256 Гбайт SATA 6Гбит/с Версия прошивка: 000F Corsair Neutron GTX 240 Гбайт SATA 6Гбит/с, Версия прошивка: M206 Plextor M5 Pro 256 Гбайт SATA 6Гбит/с Версия прошивка: 1.02 |
Видеокарта | MSI Cyclone GTX 460 1 Гбайт |
Блок питания | Seasonic X-650, 650 Вт 80 PLUS Gold |
Шасси | Lian Li Pitstop |
RAID | LSI 9266-8i PCIe x8, FastPath и CacheCade AFK |
Системное ПО и драйверы | |
Операционная система | Windows 7 x64 Ultimate |
DirectX | DirectX 11 |
Видеодрайверы | Graphics: Nvidia 314.07, RST: 10.6.1002, IMEI: 7.1.21.1124, Generic AHCI: MSAHCI.SYS |
Бенчмарки | |
ULINK DriveMaster 2012 | DM2012 v980, тестовый сценарий TRIM на базе JEDEC 218A, тестирование протоколов |
Оборудование специально для тестов | Концетратор питания SAS/SATA, платформа DevSlp |
Tom's Hardware Storage Bench v1.0 | Intel iPeak Storage Toolkit 5.2.1, Tom's Storage Bench 1.0 запись трассировки |
Iometer 1.1.0 | # агентов = 1, произвольные операции блоками по 4 Кбайт: LBA = 16 Гбайт, различные глубины очереди, последовательные операции блоками по 128 Кбайт, зарезервированное пространство LBA = 16 Гбайт, экспоненциальное масштабирование глубины очереди |
PCMark 8 | Version 2.0.228, Storage Consistency Test |
PCMark 7 | Secondary Storage Suite |