Samsung SSD 830-й серии: обзор и тест – THG.RU

Samsung SSD 830-й серии – новый чемпион?

Несмотря на то, что твёрдотельные диски выпускают многие компании, и в том числе, весьма именитые, для того, чтобы выбрать хорошую модель, потребителю приходится вникать в технические нюансы – понимать какой используется тип контроллера, какая память NAND, и даже, какая версия прошивки контроллера. В конечном итоге, именно контроллер определяет основные возможности и скоростные характеристики SSD-накопителя. Как правило, сравнимые по характеристикам накопители разных вендоров, основанные на одном и том же контроллере, имеют минимальные отличия с точки зрения производительности и потребительских качеств. Но, конечно, фирменная прошивка производителя тоже влияет на конечный результат (достаточно взглянуть на результаты OCZ Agility 3 и Corsair Force 3 в нашем обзоре семи SSD на базе SandForce второго поколения).

Samsung SSD 830-й серии

Если считать, что контроллер лежит в основе потребительских свойств любого SSD, то рынок твердотельных накопителей устроен проще, чем кажется. В настоящее время имеется всего два производителя контроллеров с интерфейсом SATA 6 Гбит/с – SandForce и Marvell. Отметим, что даже Intel использовала контроллер Marvell в своей линейке SSD 510 и не имеет собственного контроллера с интерфейсом SATA 6 Гбит/с.

Samsung немного припозднился к началу “сражения”, представив серию дисков с интерфейсом 6 Гбит/с значительно позднее, чем это сделали конкуренты. Тем не менее, характеристики 830-й серии Samsung внушают уважение. Во всей линейке, представленной накопителями объёмом от 64 до 512 Гбайт, мы видим скорость последовательного чтения на уровне 520 Мбайт/с, а скорость последовательной записи для моделей объёмом 256 и 512 Гбайт достигает 400 Мбайт/с.

Два поколения твердотельных дисков Samsung – 470 и 830

Таким образом, накопители Samsung 830-й серии относятся к той же “высшей лиге” SSD, что и диски на основе второго поколения контроллера SandForce. Возможно, наиболее существенная разница между ними состоит в том, что логика Samsung не основывается на принципе потоковой компрессии данных, а в случае дисков на SandForce данная технология, носящая название DuraWrite, является одной из главных особенностей.

За счёт оптимизации некоторых циклов записи, данная технология обеспечивает потоковое сжатие повторяющихся блоков данных, что позволяет приблизиться к пиковой пропускной способности при операциях последовательной записи (что очень любят упоминать вендоры в спецификациях), а также снизить количество циклов перезаписи ячеек памяти и, тем самым, увеличить срок службы накопителя.

Не имея в своём арсенале ни умных технологий, таких как DuraWrite от SandForce, ни широко раскрученной на рынке SSD торговой марки, компания Samsung вынуждена прибегнуть к “грубой силе”. Чтобы обеспечить тот же уровень скорости записи, пришлось использовать более качественную NAND-память.

В отличие от конкурентов, политика Samsung в вопросе разработки твердотельных накопителей выглядит более последовательной. Это одна из немногих компаний, которая в состоянии совершенствовать собственный контроллер, прошивку и использовать флэш-память собственного производства.

Объединив всё это в одном накопителе, можно существенно снизить его себестоимость по сравнению с изделиями, где используются компоненты и firmware сторонних производителей.

Как видим, рекомендованная цена накопителей 830-й серии вряд ли заставит потенциальных покупателей направиться стройными рядами в магазины за новыми дисками Samsung.

Рекомендованная розничная цена в США модели объёмом 128 Гбайт составляет $250, один гигабайт обойдётся около $2. Это примерно столько же, сколько у диска OCZ Vertex 3 объёмом 120 Гбайт, но дороже аналогичного изделия от Crucial. Samsung не приводит MSRP всех изделий в новой линейке, но можно предположить, что цены будут соответствовать моделям 470-й серии, которых призваны сменить на прилавках представители новой линейки.

Samsung SSD 830-й серии: подробности, детали

Контроллер “Max”: больше “лошадиных сил”

Накопитель Samsung 830-й серии объёмом 256 Гбайт

Для Samsung переход на новый контроллер Max стал долгожданным апгрейдом, обеспечившим возможность использования интерфейса SATA с полосой пропускания 6 Гбит/с. Предыдущий контроллер Max (S3C29MAX01), который использовался в 470-й серии твердотельных накопителей Samsung, был основан на двухъядерной ARM-архитектуре Cortex-A9.

В 830-й серии контроллер получил ещё одно ядро Cortex-A9. Таким образом, в новых дисках используется контроллер с трёхъядерным процессором. Если оставить вне фокуса некоторые оптимизации прошивки, то единственным отличием от предыдущего контроллера является большая вычислительная мощность, что необходимо, ведь более быстрому SSD нужно отрабатывать больше операций ввода/вывода.

Как и в моделях предыдущей линейки, Samsung по-прежнему использует 8-канальную архитектуру контроллера.

Не изменилась и архитектура буферной памяти. Контроллер 830-й серии, как и предшественник, работает в связке с памятью DDR2-800 объёмом 256 Мбайт, которая используется в качестве промежуточной памяти для всех трёх ядер Cortex-A9.

NAND-память DDR Toggle Mode 1.0 (техпроцесс 27 нм): что-то старое, что-то новое

Подобно другим производителям SSD, Samsung перешёл на более тонкий техпроцесс: в новых дисках применяются чипы, изготовленные по нормам 27 нм, тогда как в моделях 470-й серии использовалась 32-нм флэш-память.

В новых накопителях используются микросхемы памяти объёмом 32 Гбайт. Если вскрыть накопитель 256 Гбайт, внутри можно обнаружить восемь таких чипов, в каждом из которых четыре блока по 4 Гбайт. Таким образом, ёмкость одной микросхемы стала в два раза выше (в моделях 470-й серии ёмкость одного чипа составляет 16 Гбайт, так что в накопителях объёмом 256 Гбайт установливалось 16 микросхем памяти).

Корейская компания продолжает доверять NAND-памяти типа DDR Toggle Mode 1.0, которая превосходит по производительности память на основе стандарта ONFi, которая используется Micron и Intel. Некоторые производители SSD в настоящий момент используют флэш-память Toggle-mode от Samsung и Toshiba, чтобы обеспечить более высокие скоростные характеристики своих изделий. Если вернуться к нашему тесту семи накопителей на базе SandForce второго поколения, то мы можем убедиться, что твердотельные накопители Mushkin Chronos Deluxe и Patriot Wildfire, в которых используется память Toggle-mode, заняли первые места в рейтинге производительности.

Проблема памяти Toggle-mode заключается в её высокой себестоимости. Мы писали об этом в упомянутой статье: “Chronos Deluxe и Wildfire, чипы которых работают по асинхронной технологии, обойдутся слишком дорого, если сопоставить стоимость и выгоду, при этом они обеспечивают весьма достойную производительность”. Samsung утверждает, что переход на более новый техпроцесс 27 нм позволил снизить стоимость микросхем NAND-памяти типа DDR Toggle-mode.

Тестовая конфигурация и замечания по прошивке

Замечания по прошивке

Производительность может заметно измениться после обновления прошивки. Мы постараемся обновить результаты тестов после того, как будут представлены новые версии прошивок для накопителей, которые мы тестировали.

Обратите внимание, что результаты накопителя Crucial m4 256 Гбайт отличаются от того, что можно было видеть в графиках к “Тесту семи накопителей на базе SandForce второго поколения”, так как мы обновили прошивку до версии 0002. В целом, мы видим весьма небольшое изменение производительности после обновления, поэтому другие представители линейки Crucial m4 не тестировались повторно.

Результаты тестов

Storage Bench v1.0

Как обычно, мы начнём анализировать производительность накопителей с теста Storage Bench v1.0, так как эта утилита отражает реальную производительность SSD в первые две недели эксплуатации после покупки. Мы сосредоточим наше внимание на таких параметрах, как общее время задержки (busy time) и средняя скорость передачи данных.

Если вы не знакомы с нашей методикой тестирования с помощью Storage Bench v1.0, рекомендуем прочесть материал “Тест семи накопителей на базе SandForce второго поколения”.

Общее время задержки и средняя скорость передачи данных непосредственно взаимосвязаны, но мы рассматриваем их независимо друг от друга, что позволяет оценивать производительность в несколько разных аспектах.

Данные тесты показывают производительность накопителя, основанную на реальном использовании в течении двух недель. Этот факт стоит иметь в виду, когда речь идёт о формальном превосходстве новых накопителей Samsung.

Samsung превосходит Vertex 3 на основе контроллера SandForce второго поколения, но разница в производительности чрезвычайно мала. Накопитель Vertex 3 объёмом 240 Гбайт выполняет весь тест на 48 секунд дольше, чем Samsung 830 объёмом 256 Гбайт. Напомним, что виртуальное время теста составляет две недели – это более миллиона секунд, так что стоит вновь оговориться, что разница очень незначительна.

Средняя скорость передачи данных отражает ту же разницу на 2,6%, как в случае общего времени выполнения теста. Тем не менее, данный тест очень наглядно отражает пропускную способность накопителя. Samsung 830 объёмом 256 Гбайт стал первым твердотельным диском, который прошёл отметку 200 Мбайт/с в нашем тесте. Но в среднем новейшая модель Samsung лишь на 5-6 Мбайт/с опережает основанные на контроллере SandForce второго поколения модели HyperX и Vertex 3 ёмкостью по 240 Гбайт.

Производительность случайных операций блоков по 4 кбайт: пропускная способность

Storage Bench 1.0 обрабатывает данные по производительности последовательных и случайных операций вместе. Однако важно отделить производительность случайных операций блоками по 4 кбайт, так как при повседневном использовании именно такой тип операций создаёт большую часть нагрузки на накопитель. Непосредственно после Storage Bench v1.0 мы рассмотрим результаты тестов в Iometer, вновь используя блоки по 4 Кбайт. Однако почему именно блоки по 4 кбайт представляют особый интерес?

Когда вы запускаете браузер (например, Firefox), переключаетесь между его вкладками либо работаете с несколькими документами, происходят, как правило, небольшие операции по чтению и записи данных на накопитель. График, приведённый выше, получен с помощью Storage Bench v1.0, но он полностью отражает то, что вы увидите, если проследите повседневную нагрузку на накопитель. Обратите внимание, что почти 70% случаев доступа к данным представляют собой обращения к блокам по 8 секторов (512 байт на сектор, что в совокупности составляет 4 кбайт).

Мы использовали для тестирования в Iometer LBA-раздел размером 16 Гбайт – именно столько необходимо для чистой инсталляции 64-битной версии Windows 7. Таким образом, условия теста имитируют ситуацию повседневного обращения к файлу подкачки, системному кэшу и временными файлам Windows.

Для рядового пользователя наиболее важна производительность операций на минимальной глубине очереди, так как подобные операции составляют большинство (в отличие от рабочих станций и серверов, где мы обычно имеем дело с большой глубиной очереди).

Прежде чем мы перейдём к цифрам, позвольте обратить внимание, что мы представляем результаты замеров производительности случайных операций в Мбайт/с вместо операций/с (IOPS). Большинство сценариев загрузки имеют тенденцию смешивать различные размеры блоков передачи данных, поэтому в IT-среде принято числовое представление производительности в виде количества операций в секунду (Input/Output per second – IOPS). Но поскольку мы тестируем производительность для одного фиксированного размера блока данных, предпочтительнее использовать обозначение производительности в Мбайт/с (кроме того, данные в такой форме более удобны для восприятия). Если вам удобнее иметь дело с единицами IOPS, то их можно получить, разделив значение в Мбайт/с на 0,004096 Мбайт для блоков данных по 4 кбайт.

На глубине очереди, равной единице, Samsung 830 начинает демонстрировать свои слабые стороны. В случайном чтении 256-гигабайтная модель Samsung 830 разгоняется до чуть более 160 Мбайт/с. Это весьма посредственный результат. Ближайший соперник – Vertex 3 120 Гбайт, который уступает Samsung менее чем 4,5%, обеспечивая скорость случайного чтения 154 Мбит/с. Лидерами в данном тесте стали диски Crucial m4 объёмом 256 и 512 Гбайт, показавшие скорость чуть выше 210 Мбайт/с.

В тесте производительности операций случайной записи накопитель Samsung объёмом 256 Гбайт показал ещё более слабый результат – 152 Мбайт/с. Такой показатель ставит корейскую новинку в один ряд с моделями объёмом 120 Гбайт на базе контроллера SandForce первого поколения. Даже модель Crucial m4 128 Гбайт примерно на 5% обгоняет корейскую новинку. Накопители на базе SandForce второго поколения в данном тесте превосходят Samsung на 40-50%

Мы исключили несколько накопителей из графиков производительности, чтобы сделать их более “читабельными”. А именно, исключены несколько дисков на контроллере SandForce, которые имеют сходный профиль производительности. Ключевое различие накопителей на базе контроллера SF – тип используемой флэш-памяти (ONFi 2.0, ONFi 1.0 либо Toggle-mode DDR). Мы оставили по три представителя каждого типа, чтобы представить производительность каждой из трёх конфигураций:

• OCZ Vertex 3: контроллер SandForce второго поколения, синхронная память типа ONFi 2.0 NAND;
• OCZ Vertex Agility 3: контроллер SandForce второго поколения, асинхронная память ONFi 1.0 NAND;
• Patriot Wildfire: контроллер SandForce второго поколения, память NAND DDR Toggle-mode первого поколения.

Взглянув на графики производительности, мы вновь видим, что Samsung 830 объёмом 256 Гбайт идет вровень с Vertex 3 120 Гбайт на графике случайного чтения. На глубине очереди менее четырёх, модель Samsung опережает Vertex 3 240 Гбайт (ONFi 2.0) и Wildfire 120 Гбайт (Toggle-mode 1.0). Но при увеличении глубины очереди обе модели превосходят Samsung 830 256 Гбайт примерно на 10%.

В производительности операций случайной записи корейский накопитель объёмом 256 Гбайт занимает место в середине тестовой таблицы, показывая на всех значениях глубины очереди результат, близкий к представителям первого поколения SandForce объёмом 120 Гбайт. Crucial m4 объёмом 256 Гбайт обеспечивает почти на 60% лучшую производительность, в то время как результаты Vertex 3 240 Гбайт в два раза превосходят показатели Samsung: перешагнув планку 300 Мбит/с на глубине очереди выше четырёх, OCZ Vertex 3 демонстрирует на порядок более высокий результат.

Производительность случайных операций блоков 4 кбайт: время отклика

Было бы неверно рассматривать пропускную способность передачи данных без учёта задержки (латентности контроллера) и времени обработки запроса. В данном случае уместно провести аналогию с телефонным звонком, к которой мы уже обращались в предыдущем материале.

Пропускную способность можно примерно сравнить с качеством передачи звукового сигнала. Задержка (латентность контроллера) – это время, которое существует между тем, когда вы что-либо говорите в трубку, и тем, когда вас услышит собеседник на другом конце провода. Сюда же можно приплюсовать время, которое требуется вашему собеседнику для раздумий перед ответом (время обработки запроса).

Применительно к SSD, пропускная способность – это объём данных, которые вы можете послать за заданный отрезок времени. Латентность – задержка при передаче данных. И отдельно следует выделить время обработки запроса, которое необходимо контроллеру для “ответа”.

Если сложить вместе латентность и время обработки запроса, мы получим общее время отклика. Собственно, именно его мы и измеряем в Iometer. Путаницу в терминологию вносит сама тестовая утилита: дело в том, что Iometer рассматривает латентность и время отклика как синонимы, упоминая то один, то другой, но на самом деле имеется в виду именно общее время отклика.

При случайном чтении Samsung 830 256 Гбайт имеет время отклика порядка 0,1 мс, что примерно соответствует результатам накопителей OCZ Vertex 3 и Agility 3 объёмом 120 Гбайт. Это результат уступает на 30% дискам Crucial m4 на 256 и 512 Гбайт (0,07 мс). С другой стороны, остальные накопители на контроллере SandForce второго поколения имеют время задержки чуть меньше 0,2 мс. Так что наш корейский новичок смотрится здесь совсем неплохо.

Что касается случайной записи, то здесь мы видим несколько отличную картину. Лидерами теста стали оба диска OCZ объёмом 120 Гбайт, показавшие время отклика 0,06 мс. Далее идут восемь твердотельных накопителей с временем отклика 0,07 мс (в частности, Crucial m4 256 и 512 Гбайт, Vertex 3 240 Гбайт). Samsung 830 показал результат 0,1 мс, разделив третье-четвёртое место с Crucial m4 128 Гбайт.

Время отклика отражает интервал между началом операции и её завершением, пропускная способность – количество передаваемых данных. Оба показателя важны для измерения производительности, но влияют на неё совершенно по-разному, и их нельзя приравнивать в процентном соотношении. То есть, например, если пропускная способность у накопителя m4 на 64 Гбайт хуже, чем у модели на 128 Гбайт, на 25 %, а время отклика — на 50%, то это не значит, что суммарная производительность первого на 75 % меньше, чем второго.

Чтобы обеспечить высокую производительность, диск должен иметь высокую пропускную способность и низкое время отклика.

Максимальное время отклика позволяет нам оценить “пиковые” задержки диска. В случайном чтении лидирует линейка Crucial (включая не самый новый RealSSD C300, который занял первое место!) Samsung 830 имеет результат 0,88 мс, немного опережая Intel SSD 510, Wildfire и Chronos Deluxe. Накопители OCZ стали аутсайдерами данного теста.

В операциях случайной записи Samsung 830 имеет максимальное время отклика порядка 29 мс. Это – средний результат. Интересно, что здесь новинка уступила модели предшествующей 470-й линейки (1 мс). Лидером данного теста стал накопитель Crucial m4 512 Гбайт (0,69 мс).

Накопители на базе контроллеров SandForce снова показали посредственные результаты – от 39 мс (Vertex 3 240 Гбайт) до 57 мс (Corsair Force 120 Гбайт). Ничего удивительного в таком раскладе нет, так как эти накопители имеют идентичную архитектуру контроллера и схожую прошивку. Причина их отставания заключается в том, что “сборка мусора” (garbage collection) осуществляется непосредственно после каждой операции по записи. Crucial же осуществляет “сборку мусора” в фоновом режиме.

На самом деле, в данном вопросе нет однозначного решения. Можно производить “чистку” сразу после операций записи (контроллеры SF) или отложить на то время, когда нагрузка на накопитель снизится (Marvell и Intel). Но в последнем случае сильнее будет проявляться эффект “усиленной записи” (write amplification). Активная “сборка мусора” минимизирует эффект “усиленной записи”, но, как видим, снижает производительность. Samsung 830 находится между SandForce и Marvell, обеспечивая сбалансированное решение между активным и фоновым режимами garbage collection.

Производительность последовательных операций блоков 128 кбайт

Производители SSD любят акцентировать внимание на производительности случайных операций чтения и записи, так как здесь превосходство твердотельных накопителей над жёсткими дисками наиболее очевидно. Что же касается последовательных операций, то здесь не всё так однозначно.

Но действительно ли производительность последовательных операций важна для рядового пользователя? График ниже даёт примерное представление о количественном соотношении последовательных и случайных операций ввода/вывода. Высота колонки — доля данных от общего объёма, линейка внизу показывает распределение операций по “дальности” соседних запрашиваемых мест на диске друг от друга, по секторам.

Первое, что бросается в глаза – это преобладание нулевого разброса между рабочими секторами, что означает, что большинство запросов относится к последовательным операциям (77%). Если бы мы имели дело со 100% случайных операций, то ни один из случаев обращения к диску не относился бы к “нулевому разбросу”.

В операциях последовательного чтения лидирует Intel SSD 510 объёмом 250 Гбайт, но Samsung 830 такого же объёма буквально дышит ему в затылок. Что же касается производительности последовательной записи, то здесь корейский новичок вырывается на первое место, опережая прошлых лидеров – HyperX и Vertex 3. Причём и Kingston, и OCZ используют контроллеры SF с технологией потоковой компрессии данных (DuraWrite), которая и обеспечивает им положение в верхней части рейтинга. Samsung 830 занял первую сточку благодаря “грубой силе”: он оснащён более производительным контроллером и быстрой флэш-памятью DDR Toggle-mode.

Не удивляйтесь низким результатам накопителей на базе контроллера SandForce на представленных диаграммах. Это показатели дисков, которые находились в условиях жёсткой эксплуатации, а не новых накопителей. Обычная “чистка” накопителя может помочь восстановить производительность.

Как известно, накопители на базе контроллера SandForce лучше всего работают со сжимаемыми данными. Но в реальности этим устройствам часто приходится работать в условиях, далёких от идеала, что и приводит к результатам, которые отображены на графиках выше.

Производительность последовательных операций в зависимости от размера блоков данных

Все наши тесты последовательных операций в Iometer запускались на глубине очереди, равной единице, так как нам было важно показать производительность при нагрузке, типичной для большинства сценариев использования настольного ПК. Но не трудно представить ситуацию, чтобы SSD-накопитель использовался на большей глубине очереди. И здесь преимущества твердотельных дисков относительно HDD ещё более заметны.

Мы использовали программу ATTO для замеров скорости последовательного чтения и записи объёмов данных, превышающих по размеру 2 Гбайта, на глубине очереди 2. Мы ограничились небольшой глубиной очереди по двум причинам. Во-первых, скорость обработки операций для SSD-накопителей на глубине очереди больше трёх будет очень высокой, что ясно и без тестов. Во-вторых, доля таких операций в общем объёме выполняемых системой запросов пренебрежимо мала.

Мы использовали ATTO ещё и потому, что с его помощью удобно проводить тесты с различными объёмами передаваемой информации. Хотя блоки размером 128 кбайт стандартно используются при измерениях производительности системы, в работе часто используются и другие – меньше или больше.

Используя глубину очереди, равную двум, мы видим, что Samsung 830 256 Гбайт превзошёл Intel SSD 510 250 Гбайт, который являлся лидером в операциях последовательного чтения до нынешнего дня. Впрочем, разница между ними составляет всего 10 Мбайт/с.

В операциях последовательной записи лидируют накопители на контроллерах SandForce второго поколения. Samsung 830 занял второе место, став лидером среди накопителей с контроллерами других производителей.

Samsung 830 256 Гбайт продолжает лидировать в последовательном чтении, даже когда мы увеличиваем глубину очереди до четырёх. Но Samsung вновь не имеет существенного отрыва от ближайшего конкурента – Intel SSD 510. Разница между ними варьируется от 10 до 20 Мбайт/с при изменении размера блоков данных от 32 до256 кбайт.

Samsung 830 показал неплохой результат в операциях последовательной записи на глубине очереди, равной 4. С другой стороны, при увеличении размера блоков данных корейский накопитель уступил лидерам порядка 100 Мбайт/с.

PCMark 7: Storage Suite

PCMark 7 – это последний синтетический бенчмарк от Futuremark. Более старый тест Vantage даёт приблизительное представление о производительности дисковой подсистемы, но полученные с его помощью оценки нередко слишком сильно различаются от запуска к запуску, чтобы на основе подобного теста делать какие-либо выводы. В обоих тестах используется одна и та же технология измерений пропускной способности диска Intel IPEAK, однако программисты Futuremark усовершенствовали её, что позволило сделать результаты замеров значительно более точными. И хотя мы предостерегаем от полного доверия к результатам тестирования PCMark, они, по крайней мере, стабильны.

Samsung 830 256 Гбайт занял первое место в общей оценке производительности диска, но его преимущество незначительно. Необходимо подчеркнуть, что “общая оценка” в PCMark 7 основана на геометрической интерпретации подтестов, входящих в бенчмарк. По этой причине важно взглянуть на результаты индивидуальных тестов, чтобы получить расширенное понимание результатов.

Тест “Windows Defender” основан на прогоне сценария быстрого сканирования на вирусы (Quick Scan) посредством утилиты Windows Defender. Эта тяжеловесная операция на 97,8% состоит из запросов чтения, причём на 93% – случайного чтения. В реальной жизни к наиболее близким сценариям нагрузки относятся проверка системы антивирусной программой и поиск файлов.

В этом тесте Samsung 830 не входит в группу лидеров, немного уступая Crucial m4 128 Гбайт, Vertex 3 120 Гбайт, а также накопителям Kingston и Adata. Случайные операции не являются сильной стороной накопителя Samsung, и этот результат закономерен.

Следующий тест PCMark 7 предполагает импорт 68 изображений общим объёмом 434 Мбайт с USB-носителя в Windows Live Photo Gallery. Само копирование файлов не учитывается: PCMark анализирует лишь работу по индексации библиотеки изображений. Эта операция, в отличие от предыдущей, включает в себя, главным образом, случайную запись данных.

В этом тесте Samsung 830 занял первое место. Хотя данный накопитель и не блистает скоростью случайной записи, несколько операций последовательного чтения блоков данных большого объёма обеспечили корейскому накопителю выход на первое место.

Тест Video Editing основан на активности операций ввода/вывода при публикации видео в формате 1080p с помощью Windows Live Movie Maker. В данном случае, мы имеем дело со сценарием, который предполагает несколько источников видеоданных, которые собираются и записываются в виде единого видеоклипа. Операций чтения примерно в девять раз больше, чем записи, а соотношение между количеством операций случайного и последовательного чтения – 3 к 7.

Операции, связанные с записью, в этом сценарии почти полностью относятся к несжатым данным, поэтому накопители на контроллерах SandForce не показывают выдающихся результатов. Но и Samsung 830 ничем не лучше, так как мы имеем здесь большое число случайных операций чтения и записи. Корейский накопитель занял место в середине тестовой таблицы, но ясно, что монтаж видео нельзя отнести к сильным сторонам 830-й серии Samsung.

Тест “Windows Media Center” включает одновременную запись двух ТВ-шоу и проигрывание ещё одного, записанного ранее. Операция, таким образом, включает в себя чтение одного файла и запись двух других файлов.

Подобный сценарий включает подавляющее количество операций случайной записи (94%), поскольку Windows Media Center непрерывно добавляет данные к видеофайлу в течении всей трансляции ТВ-передачи. Напротив, основная часть операций чтения – последовательные (84%). Проигрывание видео качественно отличается от записи: в этом случае файл загружается и воспроизводится, как единый поток данных.

Как видно из диаграммы, при выполнении операций такого рода твердотельные накопители демонстрируют минимальную разницу в производительности.

Сценарий “Adding Music” в PCMark 7 – это не совсем то, что можно было бы подумать, исходя из буквального перевода данного термина. Futuremark импортирует музыку с диска, заполненного музыкальными файлами (68 Гбайт в формате WMA lossless), в библиотеку Windows Media Player. При этом реальное копирование файлов не производится: только сканирование и индексирование. Можно было бы предположить, что речь идёт, в основном, об операциях случайного чтения (почти без операций записи), однако индексация предполагает добавление информации в базу данных. Вот почему реально мы имеем дело с преобладанием операций записи (соотношение записи/чтения — 2/1), причём к последовательной записи относится 75% всех операций записи.

В данном тесте существенное влияние оказали характеристики внешнего носителя, с которого читалась информация, поэтому результаты почти всех SSD-накопителей совпадают.

Тест на скорость запуска приложений включает выполнение двух команд: открытие pdf-файла PCMark 7 Whitepaper v1.0 и запуск Internet Explorer с панели задач. Таким образом, речь идёт о чтении pdf-файла размером 717 кбайт и загрузки приложения, что предполагает обращение к системному диску. Соотношение операций чтения и записи при таком раскладе составляет 63 к 1 и большинство из операций чтения являются случайными (86%).

Хотя Samsung 830 имеет средние результаты по производительности случайной записи, скорость случайного чтения увеличивается при повышении глубины очереди. Именно по этой причине новый накопитель занимает одно из первых мест, уступив лишь накопителям Crucial RealSSD C300 256 Гбайт и m4 512 Гбайт. Отрыв от ближайшего преследователя OCZ Vertex 3 120 Гбайт лишь символический (около 1%), хотя относительно Crucial m4 объёмом 256 Гбайт новый накопитель Samsung выигрывает 17%.

Тест производительности в играх включает скорость запуска и загрузки игры “World of Warcaft”. Понятно, что большая часть выполняемых при этом операций относится к чтению данных. Как известно, большинство операций чтения – случайные, но с точки зрения объёма передаваемых данных преобладает последовательное чтение. Даже с учётом того, что мы имеем здесь 3002 операций случайного чтения и 575 операций последовательного чтения блоками до 4 кбайт, при увеличении размера блоков данных последовательные операции преобладают.

Samsung 830 находится в середине таблицы, уступая около 3% (0,5 Мбайт/с) Vertex 3 240 Гбайт, занявшему в тесте игровой производительности первое место.

На что претендует линейка накопителей Samsung 830?

Всего несколько месяцев назад, когда появились SSD на базе второго поколения контроллеров SandForce, мы полагали, что Vertex 3 станет самым быстрым твердотельным диском на MLC-памяти. С тех пор появились другие твердотельные накопители, основанные на том же контроллере, но более быстром типе памяти (например, Patriot Wildfire). Независимо от производителя, диски на контроллерах SandForce задают некую планку производительности, на которую ориентируются все участники рынка.

Вместе с тем, когда дело доходит до работы с несжатыми данными, архитектура SandForce не позволяет показать максимальную производительность накопителя. Для тех пользователей, кто не использует сжатие файлов, альтернативный подход может выглядеть более привлекательным. Именно по этой причине многие отдают предпочтение накопителям Intel SSD 510 и Crucial m4.

Линейка твердотельных дисков Samsung 830 претендует на то, чтобы нарушить существующее положение вещей. Эти накопители обеспечивают производительность, сходную с решениями на SandForce, без использования технологии потоковой компрессии данных. Новые накопители хоть и немного, но вполне заметно превосходят по производительности Intel SSD 510 и Crucial m4.

Хотя Samsung 830 демонстрирует отличные скоростные характеристики, данный накопитель не является лидером в каждом тесте. Судя по всему, это обусловлено средними результатами операций случайного чтения и записи. На низкой глубине очереди производительность случайного чтения лучше, чем показал Vertex 3 240 Гбайт. Однако Samsung уступает здесь Crucial m4 256 Гбайт. Как только глубина очереди увеличивается, оба диска OCZ и Crucial m4 превосходят корейскую новинку. По скорости случайной записи Samsung 830 демонстрирует ещё более посредственный результат: Crucial m4 превосходит его примерно на 60%, а Vertex 3 имеет вдвое лучший результат.

Зато в последовательных операциях Samsung 830 демонстрирует просто блестящие результаты. Это отличная новость для рядового пользователя ПК! Очень немногие приложения чувствительны к производительности случайных операций чтения/записи. И хотя мы рекомендуем несколько раз подумать, прежде чем покупать накопитель из новой линейки Samsung для использования в сервере, в настольном ПК компьютерного энтузиаста такой диск будет смотреться просто отлично!

Сочетание превосходной производительности на последовательных операциях и посредственных результатов случайных операций делает Samsung 830 весьма похожим на Intel SSD 510, причём в данной паре корейская новинка выглядит предпочтительнее. Нельзя сказать, что Samsung 830 оставил столь же сильное впечатление, как в своё время Vertex 3, но этот накопитель достоин того, чтобы попасть в список самых быстрых SSD последнего поколения.

В данном контексте, было бы уместно сравнить Samsung 830 с гоночной машиной, которая создана для быстрой езды на хорошей дороге, преимущественно, по прямой. Crucial m4 и диски на базе SandForce второго поколения – это, скорее, внедорожники, которые уступают Samsung на хорошем асфальте, но готовы справиться и с просёлочной дорогой.