10:20 [Евгений Пугач]
В будущем чипы будут изготавливаться из карбида кремния
- Оснащаем КПК: беспроводная карта SanDisk с поддержкой PalmOS
- Беспроводная точка доступа GIGABYTE GN-A17GU 802.11g: первый взгляд
- Auditor Security Collection: набор утилит для работы с WLAN
- Охота за беспроводными сетями: миссия в Тайбэе
- Беспроводной мост SMC 2582W-B
- Миниатюрная точка доступа ASUS WL-330g: первый взгляд
- Карманные компьютеры и сети WiFi: наше расследование
- Детектор беспроводных сетей PCTEL: ищем точки доступа
- Беспроводной маршрутизатор Buffalo WBR2-G54 с автоматической системой безопасности AOSS
Центральная лаборатория исследовательского подразделения Toyota сообщила об успешном производстве транзисторов из карбида кремния SiC. Методика такого техпроцесса разрабатывалась в течение многих лет и является наиболее перспективной. По ней перегретый газ с парами карбида кремния конденсируется на чистых пластинах. SiC кристаллизируется на них, и в результате получаются пластины, имеющие в 2-3 раза меньше дефектов, чем обычные, что снижает объем брака.
Экспериментальные транзисторы, произведенные по новой методике, продемонстрировали больший КПД при меньших потерях энергии на токи утечки и большем предельном напряжении. Таким образом, с помощью этой технологии можно будет в будущем создавать сложные чипы, которые будут потреблять меньше энергии и будут обладать повыщенной надежностью.
На сегодняшний день единственным типом полупроводниковых устройств на основе карбида кремния, производящимся массово, являются светодиоды и лазерные диоды. Это связано с чрезвычайной сложностью обработки SiC, так как его температура плавления 2700 градусов Цельсия, что в 2 раза выше, чем у кремния. Кроме того, он чрезвычайно тверд, приближается к алмазу. Поэтому его тонкая обработка практически невозможна.
Благодаря новой методики пластины из карбида кремния просто не нужно будет обрабатывать, как сейчас: чипы будут выращиваться именно так, как задумал производитель.
Популярные статьи на THG.ru:
Введите ключевые слова для поиска и нажмите Enter. |