Samsung начнет производство 50-нм DRAM чипов в 2008 году
23 октября 2006, 18:56
Одна из крупнейших полупроводниковых компаний, корпорация Samsung, объявила о выпуске первого образца DDR2 Dynamic Random Access Memomry (DRAM) чипа, который произведен по техпроцессу 50 нм. Ожидается, что массовое производство будет начато уже в 2008 году.
Использование 50-нм техпроцесса в совокупности с трехмерным дизайном позволяет увеличить на 55% число годных чипов, - сообщает компания. Впрочем, воспринимать всерьез слова компании несколько рано.
Пока не известно энергопотребление и тепловыделение новых чипов. С одной стороны новая упаковка чипа обеспечивает меньшие размеры, с другой стороны более плотное (объемное) расположение элементов влечет к несколько худшему отводу тепла. Аналогичные выводы можно сделать о техпроцецессе. Хотя на переключение затвора транзистора требуется меньше энергии, ввиду меньших размеров самого затвора, однако, опять мы наблюдаем же более плотное расположение транзисторов.
Копирование и распространение информации, упомянутой на страницах THG.ru возможно только при наличии у вас письменного разрешения руководства издания. По вопросам использования наших статей обращайтесь по электронной почте.
THG.ru ("Русский Tom's Hardware Guide") входит в международную сеть изданий Best of Media
Поиск 
| Новости
| Видеокарты
| Процессоры
| Материнские платы
| Мониторы
| Аудио/видео
| HDD и CD/DVD
| Собери сам
| Игры
| Софт
| Домашний ПК
