19 июля 2007, 16:36
Представители Samsung анонсировали ратификацию модулей оперативной памяти DDR2 емкостью 1 Гбайт, чипы которой выполнены по нормам 50 нм техпроцесса. Процесс ратификации производился компанией Intel.
Как сообщают источники редакции THG.ru, 50 нм техпроцесс должен стать основным в производстве чипов оперативной памяти стандарта DDR2 в первой половине 2008 года. Впрочем, производство чипов DDR3, GDDR4 и GDDR5 также будет со временем переведено на новый техпроцесс.
Популярные статьи:
Новые чипсеты Intel P35 и G33 : FSB1333 и DDR3 Разгон памяти DDR2-800 : какая пара по 1 Гбайт лучше? Corsair Dominator PC10000 : тест сверхскоростной памяти Corsair DHX XMS2 Dominator : самая быстрая память DDR2 в мире Низкие задержки или высокие тактовые частоты : тесты памяти в разных режимах
|
следующая новость предыдущая новость |
|
Комментарии? Поправки? Дополнения? Ваши новости? rusmarket@tomshardware.com |
