Тайваньская компания A-DATA Technology сегодня представила новые модули памяти XPG игровой серии DDR3-1600G суммарным объемом 8 Гбайт, упакованные в двухканальный комплект. Модель предназначена для геймеров, которые используют платформы Intel P55 и материнские платы H55. Модуль XPG DDR3-1600G для геймеров предлагает тайминги CL9-9-9-24 при напряжении 1,65 В, а также высокую емкость оптимизации производительности ПК.
«Геймерское мастерство во многом зависит от правильного выбора ПК и его производительности. В помощь опытным игрокам мы представляем игровую серию XPG DDR3-1600G в виде 8 Гбайт двухканального комплекта, – говорит Акшион Чен (Action Chen), заместитель руководителя проекта A-DATA, департамент XPG. – Теперь геймеры смогут насладиться превосходным потенциалом и высокой скоростью игры, используя новую серию XPG DDR3-1600G в 64-разрядных операционных системах. Любители игр смогут, наконец, удовлетворить постоянное желание улучшать свое мастерство».
Характеристики игровой серии XPG DDR3-1600G суммарным объемом 8 Гбайт, представленных в двухканальном комплекте:
Все DRAM модули отвечают высоким стандартам и критериям Имеют высококачественные 6-слойные печатные платы Имеют обратную совместимость с DDR3-1333 и DDR3-1066 Оптимизированы для 64-разрядных операционных систем Имеют настройки таймингов 9-9-9-24 при рекомендованном операционном напряжении 1,55 В-1,75 В Имеют SPD, запрограммированный на стандарт DDR3-1333 с таймингами 9-9-9-24 для начальной загрузки системы На все модули предоставляется ограниченная пожизненная гарантия
Новая игровая серия XPG DDR3-1600G на 8 Гбайт в двухканальном комплекте распространяется через официальных дистрибьюторов. Более подробную информацию об игровой серии DRAM модулей XPG можно найти на сайте компании.
Ранее редакция THG сообщала, что компания Kingston Technology объявила о выпуске первых в мире модулей памяти с ультранизким напряжением, которые потребляют 1,25 В при частоте 1600 МГц. Новые модели входят в линейку высокопроизводительных модулей памяти Kingston HyperX DDR3 LoVo (низкое напряжение).
Популярные статьи:
Выбираем память DDR3 с высокой плотностью : тест пяти двухканальных наборов на 8 Гбайт Выбираем недорогую память DDR3 для Core i5/i7 : тест шести двухканальных наборов на 4 Гбайт Подбираем память для процессоров Core i5 и i7 под LGA 1156 : зависимость производительности от частоты и задержек Выбираем недорогую память DDR3 для Core i7 : тест шести трёхканальных наборов на 6 Гбайт Зависимость производительности от частоты и задержек памяти : платформы Core 2, Core i7 и Phenom II
|
следующая новость предыдущая новость |
||
|
