Samsung: 64 Гбит флеш-память NAND с интерфейсом Toggle DDR 2.0

23 мая 2011, 12:03

Компания Samsung Electronics первой в отрасли начала массовое производство микросхем флеш-памяти NAND с архитектурой многоуровневых ячеек (MLC), использующих высокопроизводительный интерфейс Toggle DDR 2.0. Новые чипы памяти NAND имеют емкость 64 гигабит и выпускаются по передовым технологическим нормам 20-нанометрового класса. Микросхемы предназначены для высокопроизводительных устройств, таких как смартфоны, планшетные компьютеры и твердотельные диски (SSD).

Samsung NAND Toggle DDR 2.0

Модули NAND-памяти Samsung 64 Гбит с интерфейсом Toggle DDR 2.0

Особенность 64-гигабитного чипа с архитектурой ячеек MLC – интерфейс Toggle DDR (Double Data Rate) 2.0, который обеспечивает скорость передачи данных до 400 Мбит/с. Это в 10 раз больше в сравнении с интерфейсом Single Data Rate (SDR), которым сегодня снабжаются микросхемы флеш-памяти NAND для массового рынка. Кроме того, этот интерфейс передает данные в три раза быстрее, чем его версия Toggle DDR 1.0 (133 Мбит/с), которым Samsung впервые оснастил чипы флеш-памяти емкостью 32 Гбит, представленные в 2009 году.

Высокоскоростной интерфейс Toggle DDR 2.0 400 Мбит/с разработан в ответ на пожелания производителей мобильных телефонов и потребительской электроники, которые приступают к использованию в своих продуктах таких высокоскоростных технологий подключения как USB 3.0 и SATA 6.0 Гбит/с.

Микросхема памяти NAND емкостью 64 Гбит с архитектурой ячеек MLC имеет на 50% более высокую производительность, чем чип 32-гигабитный чип MLC NAND с интерфейсом Toggle DDR 1.0, выпущенный по нормам 20-нанометрового класса (эту микросхему Samsung начал производить в апреле). Кроме того, она вдвое производительнее, чем 32-гигабитный чип MLC NAND, производимый по технологии 30-нанометрового класса.

По данным аналитической компании IHS iSuppli, мировой рынок флеш-памяти NAND продолжает стабильно расти. Если поставки этих чипов в 2010 году составили 11 млрд микросхем в эквиваленте 1 Гбайт, то к 2015 году они возрастут до 94 млрд в эквиваленте 1 Гбайт, т.е. среднегодовой рост достигнет 54%. В 2012 году на чипы флеш-памяти NAND емкостью 64 Гбит и выше придется 70% от общих поставок флеш-памяти этого типа, тогда как в 2010 году их доля в поставках составляла всего 3%.

Подробная информация о памяти Samsung, созданной по дружественным для экологии технологиям, доступно на сайте производителя.

Недавно в тестовую лабораторию THG.ru попали два новых SSD-накопителя – Intel 320 и Crucial M4. Мы решили сравнить их с другими моделями, представленными на рыке. Поэтому, если вы планируете покупку твердотельного диска, наша статья «Обзор Intel 320, Crucial M4 и других SSD-накопителей» обязательно поможет вам определиться с выбором модели.