Компания Samsung Electronics объявила, что специалистами компании разработаны модули регистровой памяти DDR3 с двухрядным расположением выводов емкостью 32 Гбайт (RDIMM), которые используют технологию трехмерного (3D) сквозного вертикального соединения (TSV). Передовой производственный процесс Samsung 30-нанометрового класса повышает производительность модулей и позволяет создавать гораздо более дружественные для экологии модули, чем предыдущая технология 40-нанометрового класса.
Модули памяти RDIMM 32 Гбайт с технологией упаковки 3D TSV используют микросхемы памяти DDR3 емкостью 4 Гбит, выпущенные по производственным нормам 30-нанометрового класса. Модуль поддерживает скорость передачи данных 1333 Мбит/с, что на 70% больше, чем у 4-ранговых модулей RDIMM 32 Гбайт со скоростью передачи данных 800 Мбит/с.
Новый модуль емкостью 32 Гбайт имеет энергопотребление всего 4,5 Вт/ч, что является самым низким показателем для модулей, используемых в серверах корпоративного класса. По сравнению с модулем памяти 32 Гбайт с двухрядным расположением выводов и сниженной нагрузкой (LRDIMM), позволяющим создавать решения емкостью 32 Гбайт и выше, новый модуль обеспечивает снижение энергопотребления в среднем на 30%.
Экономия достигается путем использования технологии TSV. Она предполагает замену традиционных проводных соединений сквозными вертикальными соединениями, благодаря чему можно сделать сигнальные линии существенно короче. При этом многоуровневая микросхема будет сравнима по производительности с цельным кремниевым чипом, ее энергопотребление снижается, а скорость передачи данных увеличивается.
Дополнительная информация о дружественной для экологии памяти Samsung DDR3 доступна на сайте производителя.
Ранее редакция THG.ru отметила, что у новейшей линейки платформ Intel такие же требования к памяти, как и у P55 Express, но всё же некоторые из модулей оперативной памяти, предназначенных для этой платформы, спроектированы по-другому. В новом обзоре на страницах THG.ru рассмотрены все эти отличия. Целью сравнения стал поиск лучшего по соотношению производительность/цена двухканального набора памяти на 8 Гбайт. О том, какие особенности памяти разных производителей выявили тесты, можно узнать в статье «Обзор восьми наборов памяти на 8 Гбайт (2х4 Гбайт) для P67 Express».
Популярные статьи:
Выбираем память DDR3 с высокой плотностью : тест пяти двухканальных наборов на 8 Гбайт Выбираем недорогую память DDR3 для Core i5/i7 : тест шести двухканальных наборов на 4 Гбайт Подбираем память для процессоров Core i5 и i7 под LGA 1156 : зависимость производительности от частоты и задержек Выбираем недорогую память DDR3 для Core i7 : тест шести трёхканальных наборов на 6 Гбайт Зависимость производительности от частоты и задержек памяти : платформы Core 2, Core i7 и Phenom II
|
следующая новость предыдущая новость |
||
|
