Компания Micron Technology и сингапурский институт A*STAR Data Storage Institute (DSI) объявили о договорённости совместной работы над технологией альтернативного типа энергонезависимой памяти для накопителей следующего поколения – STT-MRAM или оперативной памяти, построенной на передаче магнитного момента спина.
Текущее поколение твердотельных дисков использует другой тип энергонезависимой памяти – NAND Flash, что позволяет на протяжение длительного времени хранить в памяти накопителя данные без необходимости в энергии, при этом SSD, в отличие от жёстких дисков, менее подвержены физическому износу от ударов и вибраций. Однако при масштабировании и использовании больших массивов такой памяти приводит к падению надежности и повышению энергии, необходимой для записи данных.
В то же время в отрасли проводятся разработки альтернативных типов энергонезависимой памяти, таких как, например, STT-MRAM, которая имеет большой потенциал и при этом может конкурировать с энергозависимой памятью, такой, как, например, Dynamic RAM (DRAM). Благодаря своим свойствам такая память может предоставить преимущество в производительности также и в приложениях для энергозависимой памяти.
В рамках сотрудничества Micron и DSI будут инвестировать совместные разработки устройств STT-RAM высокой плотности в течение следующих трёх лет.
А, как ранее напомнила редакция THG.ru, что, так как интегрированные GPU обычно используют общую системную память, то её производительность существенно влияет на частоту кадров в играх – об этом, в частности, рассказывалось в обзоре AMD A8-3850. Редакция THG.ru, с тем, чтобы помочь в выборе ОЗУ для современных систем, провела тестирование семи топовых комплектов DDR3 по 8 Гбайт, которые должны показать отличную совместимость с APU от AMD на базе Llano. В ходе многочисленных тестов ADATA XPG DDR3-1600 CAS 8, Corsair Vengeance DDR3-1600 CAS 8, G.Skill Ripjaws X DDR3-1600 CAS 8, Geil EvoCorsa DDR3-1866 CAS 9, Kingston HyperX Genesis DDR3-1600 CAS 9, Mushkin Redline DDR3-1600 CAS 7 и PNY XLR8 DDR3-1600 CAS 9 интересным оказалось то, что, хотя набор Mushkin победил в состязании разгона, шесть остальных наборов финишировали настолько близко друг к другу, что нам стало интересно, какая часть из нынешних результатов связана просто с удачей, а какая с точностью настроек памяти. Об этом и многом другом в статье «Тест семи комплектов DDR3 по 8 Гбайт для чипсета AMD A75».
Популярные статьи:
Обзор восьми наборов памяти на 8 Гбайт (2х4 Гбайт) для P67 Express Выбираем память DDR3 с высокой плотностью : тест пяти двухканальных наборов на 8 Гбайт Выбираем недорогую память DDR3 для Core i5/i7 : тест шести двухканальных наборов на 4 Гбайт Подбираем память для процессоров Core i5 и i7 под LGA 1156 : зависимость производительности от частоты и задержек Выбираем недорогую память DDR3 для Core i7 : тест шести трёхканальных наборов на 6 Гбайт
|
следующая новость предыдущая новость |
||
|
