Компания Intel сообщила подробные сведения о последовательнице Haswell: новая архитектура Broadwell выполнена на 14-нм техпроцессе, а значит, по сравнению с Haswell расстояние между плавниками транзистора сократилось с 60 нм до 42 нм, расстояние между границами соседних затворов – c 90 нм до 70 нм, а минимальное расстояние между слоями внутрисхемных соединений – с 80 нм до 52 нм. Редакторы THG.ru опубликовала предварительный обзор новой архитектуры в материале “Архитектура Broadwell: Intel представила новые узлы 14 нм техпроцесса”.
Каковы особенности новой архитектуры? Насколько изменится показатель IPC по сравнению с Haswell? Насколько снижается энергопотребление и что позволяет осуществить снижение? Что продемонстрировали первые тесты новой архитектуры? Подробности о новой архитектуре Intel Broadwell вы сможете узнать в статье “Архитектура Broadwell: Intel представила новые узлы 14 нм техпроцесса”.
Популярные материалы:
Обзор Intel Xeon E5-2600 V3: Haswell-EP наращивает скорость
Обзор процессоров Intel Core i7-5960X, i7-5930K и i7-5820K: приветствуем Haswell-E
Лучший процессор для игр: текущий анализ рынка
Международная экспансия китайских SoC-платформ с лицензией ARM
Обзор основных SoC-платформ с архитектурой ARM
|
следующая новость предыдущая новость |
||
|
