Компания Samsung объявила о начале серийного выпуска микросхем флэш-памяти, выполненных по технологии ePoP (embedded package on package). Новое решение для мобильных устройств объединяет в одном корпусе 3 Гбайт оперативной памяти LPDDR3 DRAM и накопитель eMMC емкостью 32 Гбайт.
При использовании традиционной технологии монтажа (PoP) оперативная память устанавливается поверх процессора смартфона, а чип флэш-памяти размером примерно 11,5×13 мм размещается на системной плате отдельно. Вместо двух компонентов Samsung предлагает использовать интегрированное решение, позволяющее уменьшить занимаемую микросхемами площадь на 40%.
Размеры представленного чипа составляют 15x15x1,4 мм. Сообщается, что встроенный DRAM-модуль с пропускной способностью до 1866 млн транзакций в секунду обладает 64-разрядным интерфейсом, а в ближайшие несколько лет появятся ePoP-микросхемы с еще большей плотностью и производительностью.
Новые чипы будут применяться в флагманских смартфонах и планшетах верхнего ценового сегмента. Также отметим, что выпускаемая компанией память для носимой электроники построена по такому же принципу.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор VR-шлема Samsung Gear VR. Это устройство не предназначен для массового рынка, гаджет ориентирован на первопроходцев и разработчиков, которые должны заложить основу для рыночного продукта, а Samsung еще нужно выявить и исправить кучу ошибок. Тем не менее, Gear VR является своего рода окном в будущее виртуальной реальности. Подробнее об этом читайте в статье “Обзор Samsung Gear VR: виртуальная реальность через смартфон”.
