Компания TSMC активно использует 16-нм техпроцесс FinFET, параллельно продолжая разработку 10-нм технологического процесса. И несколько месяцев назад чипмейкер заявил о строительстве новой фабрики, использующей 10-нм технологию и 300-мм подложки.
И, если компании удастся придерживаться заявленного графика, во второй половине следующего года TSMC начнет опытное производство на основе 10-нм техпроцесса. Продукция компании на 10-нм технологии FinFET (CLN10FF) сможет похвастаться на 110% – 120% большей плотностью транзисторов по сравнению с 16-нм техпроцессом FinFET+ (CLN16FF+), 15% увеличении частоты при таком же энергопотреблении или на 35% меньшим энергопотреблением при сохранении частоты на прежнем уровне.
Впрочем, используемый TSMC 16-нм техпроцесс FF фактически является тем же FinFET, а 10-нм FF будет соответствовать применяемым Intel 14-нм технологиям. Но помимо этого TSMC объявила о планах к 2018 году начать выпуск продукции на 7-нм техпроцессе с использованием “10-нм элементов”.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор микроархитектуры Intel Skylake, которая получила сотни структурных изменений и улучшений. Это позволило повысить производительность при снижении потребления энергии. Новые процессоры появятся быстро, и сразу практически для всех сегментов вычислительной техники – от мобильных устройств до серверов. Подробнее об этом читайте в статье “Intel Skylake: процессорная архитектура революционного масштаба”.
