Компания Samsung официально представила новую аппаратную платформу Exynos 7 Octa 7870, построенную на “самом передовом 14-нм FinFET технологическом процессе компании и разработанную для использования в следующем поколении смартфонов среднего уровня и других мобильных устройствах”.
По словам вице-президента по маркетингу Samsung System LSI Бена Хьюра (Ben K. Hur), более высокая производительность и энергоэффективность Exynos 7 Octa 7870, обусловленная современным техпроцессом, позволяют рассчитывать на широкое использование чипсета в мобильных гаджетах среднего уровня. А сама платформа позиционируется корейцами в качестве первого чипсета подобного уровня, выполненного с использованием 14-нм технологий.
В состав Exynos 7 Octa 7870 входят восемь ядер на архитектуре Cortex-A53 с тактовой частотой до 1,6 ГГц. Чипсет имеет интегрированную поддержку LTE Cat.6 сетей со скоростью передачей данных до 300 Мбит/с и агрегацией частот FDD и TDD. Он позволяет воспроизводить Full HD видео со скоростью 60 к/с, поддерживает дисплеи с WUXGA-разрешением (1920х1200 пикселей) и может работать с 16 Мп фронтальной/тыльной камерами или с системами двойных камер с 8 Мп разрешением.
Массовое производство Samsung Exynos 7 Octa 7870 начнется еще до конца марта. А, значит, первые смартфоны на этом чипсете могут добраться до рынка уже в первой половине 2016 года.
Ранее редакция THG.ru опубликовала предварительный обзор чипсета Snapdragon 820. Мы протестировали новую мобильную SoC от Qualcomm с первым 64-битным вычислительным ядром Kyro собственной разработки и новым GPU Adreno 530. Подробнее об этом читайте в статье “Snapdragon 820: предварительный обзор”.
Популярные статьи:
Samsung Galaxy S7 и Galaxy S7 Edge: новые тизеры смартфонов
Samsung рассекретила дизайн и некоторые особенности Galaxy S7 и Galaxy S7 Edge (видео)
Пресс-снимки нового недорогого планшета Samsung
Платежный сервис Samsung Pay придет в Россию вместе со смартфоном Galaxy S7
Samsung Galaxy S7 и Galaxy S7 Edge: рендеры смартфонов в трех цветах
|
следующая новость предыдущая новость |
||
|
