Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства первой в мире 8-Гбит памяти DDR4 DRAM на втором поколении техпроцесса 10-нм класса (1y-nm). Новая память может похвастаться наивысшей производительностью и самыми компактными размерами среди всех 8-Гбит чипов DRAM.
В Samsung отмечают, что новые чипы обеспечивают 10% прирост производительности по сравнению с 8-Гбит памятью DDR4 на первом поколении 10-нм техпроцесса и могут работать со скоростью до 3600 Мбит/с на контакт по сравнению с 3200 Мбит/с у последних. Превосходят они предшественников и в плане энергоэффективности – на 15%.
В чипах используется недавно разработанная корейцами система, позволяющая более точно определять хранящиеся в каждой ячейке данные. А уникальная воздушная прокладка резко снижает паразитную емкость, обеспечивая более высокий уровень масштабирования и эффективность работы каждой ячейки.
Однако в Samsung не только планируют быстро нарастить объемы производства нового поколения чипов DRAM, но и выпускать большее число чипов DRAM на первом поколении 10-нм техпроцесса, что позволит удовлетворить мировой спрос на подобную продукцию.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор и тест Intel Optane SSD 900P 480GB. Старшая модификация имеет максимально доступную на сегодня ёмкость, но не может похвастаться более высокой производительностью, чем модель на 280 Гбайт. К тому же, получая на 200 Гбайт больше, вы заплатите за них почти столько же, сколько за ещё один накопитель ёмкостью 280 Гбайт. Подробнее об этом читайте в статье “Intel Optane SSD 900P 480GB: тест и обзор модификации максимальной ёмкости”.
