Ультрабюджетный Xiaomi Redmi 5A стал ещё доступнее
Корейская Samsung объявила о начале серийного производства новых твердотельных накопителей с памятью QLC V-NAND для потребительского рынка.
Новые Samsung QLC SSD основаны на 1-Тбит 64-слойной памяти QLC V-NAND и используют фирменный контроллер, который ранее применялся для 64-слойной TLC V-NAND памяти. И не исключено, что под ним понимается контроллер MJX, лежащий в основе Samsung 860 EVO.
Новые SSD выполнены в 2,5″ форм-факторе, используют интерфейс SATA и выпускаются в вариантах ёмкостью 1, 2 и 4 Тбайт. Но в компании уже пообещали, что до конца года компания выведет на рынок твердотельные накопители M.2 на памяти QLC V-NAND. Конечно, интерфейс SATA, использующийся в сегодняшних SSD от Samsung, накладывает определённые ограничения на их производительность, и они обеспечивают достаточно стандартную скорость последовательного чтения/записи до 540/520 Мбайт/с (при использовании технологии SLC-кэширования TurboWrite).
В Samsung пока не раскрывают название новой модели SSD, и ничего не говорят о его рекомендованной розничной стоимости. Но память QLC V-NAND должна обеспечить меньшую стоимость на бит по сравнению с MLC и TLC V-NAND. Поэтому новые Samsung QLC SSD должны быть доступнее терабайтных SSD, использующих MLC и TLC V-NAND.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор СХД Lenovo DS6200. Старшая модель DS6200 современной линейки двухконтроллерных СХД для малого и среднего бизнеса Lenovo Storage DS обеспечивает высокий для данного класса уровень производительности и рекомендуется для использования с твёрдотельными накопителями. Подробнее об этом читайте в статье “Lenovo DS6200: обзор и тест системы хранения данных для SAN”.
