РЕКЛАМА
ИНФОРМАЦИЯ
Rambler's Top100 Рейтинг@Mail.ru

НОВОСТИ

RSS

Samsung может перескочить на 3 нм GAAFET-техпроцесс, пропустив освоение 4 нм технологии FF EUV

05 июля 2020, 23:08


Согласно последним сообщениям, руководство Samsung собирается приостановить оптимизацию уже существующей технологии полупроводниковой литографии FF EUV с ее освоением до уровня готовности к массовому производству по 4-нм нормам и сразу перейти на массовый выпуск продукции на базе принципиально нового 3-нм техпроцесса GAAFET. В случае успешной реализации таких планов, Samsung сможет сделать качественный рывок вперед и серьезно уйти вперед в отрыв в своей конкурентной борьбе с TSMC.

Однако многие эксперты указывают на большие риски для Samsung. Компания может столкнуться с ними в результате возможных задержек, которые иногда возникают при освоении качественно новых техпроцессов.

Samsung может перескочить сразу на 3 нм GAAFET-техпроцесс, не развивая 4 нм технологию FF EUV


Нынешние реалии таковы, что на переднем крае производства полупроводников сейчас находятся три компании - TSMC, Intel и Samsung. В тоже время основная конкурентная борьба сейчас складывается между TSMC и Samsung, которые готовятся начать активно внедрять в ближайшие годы производство по технормам ниже 7 нм.

Samsung может перескочить сразу на 3 нм GAAFET-техпроцесс, не развивая 4 нм технологию FF EUV


Выбор Samsung связан не с принципиальной заменой стратегии развития, а ее коррекцией. Согласно ранее объявленным планам, Samsung планировал освоить в 2021 году два базовых техпроцесса: 4 нм FF EUV и 3 нм GAAFET. Оба техпроцесса являются развитием нынешнего 7-нм техпроцесса с литографией в глубоком ультрафиолетовом диапазоне (EUV), одним из лидеров в освоении которого является сегодня Samsung. Однако между ними есть принципиальное отличие.

Первое направление, связанное с освоением 4 нм техпроцесса FF EUV, представляет собой естественное развитие уже существующей технологии FinFET-печати в глубоком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Эта технология уже освоена на принципиальном уровне и сейчас идет ее оптимизация по пути снижения применяемых технологических норм. Если ныне в массовом производстве освоены нормы 7 и 6 нм, то ранее Samsung планировала осуществить постепенный переход до норм 4 нм.

Второе направление разработок 3 нм GAAFET связано с освоением принципиально новой технологии выпуска полупроводниковых пластин, основанной на горизонтальном расположении каналов и применения круговых затворов (Gate-All-Around Field-Effect Transistor -- GAAFET) в конструкции транзисторов. Его реализация серьезно отличается от индустриального стандарта FinFET с вертикальным расположением каналов, где затворы подводятся к каналу только с трех сторон.




Новая технология применения кругового затвора GAAFET позволяет избавиться от избыточной утечки тока. Это достигается благодаря тому, что круговой затвор должен полностью опоясывать канал.

Новый подход существенно улучшает контроль над каналом, что позволяет уменьшить размер узла. Благодаря применению более эффективной конструкции транзистора, в будущем можно достичь существенный скачок производительности на Вт по сравнению с FinFET-процессом.

Samsung может перескочить сразу на 3 нм GAAFET-техпроцесс, не развивая 4 нм технологию FF EUV


Однако практическая реализация технологии GAAFET с доведением ее до уровня готовности для массового производства может столкнуться с серьезными задержками из-за своей новизны, считают эксперты. Поэтому выбор Samsung сопряжен с серьезными рисками. В начале этого года Samsung уже показал свой первый рабочий прототип, созданный на базе 3 нм GAAFET, однако до его готовности к массовому внедрению еще очень далеко.



Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор лучших видеокарт для игр. Выбрать лучшую видеокарту для игр непросто - для кого-то лучшей может быть самая доступная видеокарта, для других самая производительная. Мы стараемся учитывать все факторы и публикуем ежемесячно обновляемый материал, в котором стараемся рекомендовать действительно лучшую видеокарту для игр в любой ценовой категории - от дешевле $100 до топового сегмента. Подробнее об этом читайте в статье "Лучшая видеокарта для игр: текущий анализ рынка".

Читайте также:

  • Тесты: Производительность графических ядер Xe Graphics при обработке изображений выше, чем у NVIDIA GeForce MX350
  • Анонс ASRock Radeon RX 5600 XT Challenger Pro 6G OC: премиальная видеокарта с тремя вентиляторами
  • Intel показал лабораторные образцы будущих графических процессоров Xe
  • ELSA представила две мощных видеокарты
  • Анонс Manli GeForce GTX 1650: низкопрофильная видеокарта с памятью GDDR6
  • следующая новость
    Новая веха в развитии умных вещей: Xiaomi представила умный унитаз

    предыдущая новость
    Тесты: Производительность графических ядер Xe Graphics при обработке изображений выше, чем у NVIDIA GeForce MX350

     



    Свежие статьи
    RSS
    Лучшая материнская плата: текущий анализ рынка Обзор и тестирование блока питания Hiper HPB-750SM-PRO Лучший компьютерный корпус: текущий анализ рынка Главные новости за неделю Лучшая видеокарта для игр: текущий анализ рынка
    Лучшая материнская плата Обзор и тестирование блока питания Hiper HPB-750SM-PRO Лучший компьютерный корпус Главные новости за неделю Лучшая видеокарта для игр
    РЕКЛАМА
    РЕКОМЕНДУЕМ ПРОЧЕСТЬ!
    ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ

    Samsung резко снизит энергопотребление флагманских смартфонов уже во второй половине 2020 года

    Первые видеокарты на архитектуре He-HPG от Intel появятся в 2021 году

    Игровой ноутбук Redmi G получит новейшие процессоры Intel

    Бюджетный Motorola Moto E7 получит аккумулятор емкостью 5000 мАч

    Слухи: Apple представит умные часы и iPad раньше iPhone 12

    Беспроводные наушники OPPO Enco W11 порадовали чистым звуком, стильным дизайном и хорошей автономностью

    Почему лучший камерофон Mi 10 Ultra оснащен не самой «лучшей» 48 Мп камерой?

    realme объявила о выпуске «Короля автономности» - смартфона realme C11


    12 августа, 2020

    realme Buds Air Neo: беспроводные наушники на общей волне с Samsung и Apple

    Huawei оснащает настольные ПК для госслужб ARM-процессором Huawei Kunpeng взамен Intel Core i9-9900K

    Samsung ведет разработку чипов вместе с ARM и AMD в обход Qualcomm

    Складной гаджет Microsoft Surface Duo поступит в продажу 10 сентября по 102 900 рублей

    Apple подает в суд на небольшую компанию из-за отдаленного сходства логотипов

    Смартфон от ZTE станет первым в мире с подэкранной фронтальной камерой

    OPPO запатентовала смартфон с поддержкой Li-Fi

    Доступ к игровой службе EA Access скоро откроется в Steam

    ССЫЛКИ