Samsung начала массовое производство 14-нм модулей памяти DRAM EUV DDR5.
Для изготовления микросхем Samsung применяет новый технологический процесс фотолитографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV), который позволяет формировать за один проход пятислойный элемент. Новая технология обеспечивает самую высокую в отрасли плотность размещения битов на кристалле DRAM.
Внесенные усовершенствования позволили поднять производительность примерно на 20%. Новые продукты, основанные на новом стандарте DDR5, призваны удовлетворить растущие потребности отрасли в получении высокоскоростной памяти еще большей емкости. Такие решения востребованы для задач, связанных с 5G, AI и Большими данными.
Хотя развитие уже идет по пути производства DRAM-памяти по нормам 10 нм, существующая 14-нм технология EUV становится все более важной для массового производства. 14-нм техпроцесс позволяет добиться снижения энергопотребление почти на 20% по сравнению с памятью предыдущего поколения.
Используя новейший стандарт памяти DDR5, 14-нм модули DRAM от Samsung позволяют добиться «беспрецедентных скоростей», доходящих до 7,2 Гбит/с. Это более чем вдвое превышает возможности DDR4 с его “скромными” 3,2 Гбит/с.
Samsung планирует использовать 14-нм техпроцесс EUV для выпуска памяти, используемой в центрах обработки данных, суперкомпьютерах и корпоративных серверах. Samsung также запланировала рост плотности упаковки 14-нм чипов DRAM до 24 Гбайт.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор лучшей материнской платы. Выбрать лучшую материнскую плату непросто – для кого-то лучшей может быть самая доступная материнская плата, для других – самая функциональная. Мы стараемся учитывать все факторы и публикуем регулярно обновляемый материал, в котором стараемся рекомендовать действительно лучшую материнскую плату любой функциональности, под любой процессорный разъём, в любой ценовой категории – от самых дешёвых до топового сегмента. Подробнее об этом в статье “Лучшая материнская плата: текущий анализ рынка”.
