Samsung Foundry уже начали производить чипы с использованием своей производственной технологии SF3E (ранее известной как 3-нанометровый затвор) в июне прошлого года, компания использует эту технологию только для некоторых чипов и ожидается, что она не будет широко использоваться. Тем временем компания работает над своим 3-нм узлом второго поколения под названием SF3 (3GAP) и раскроет дополнительную информацию о нем на предстоящем в 2023 году Симпозиуме по технологиям и схемам СБИС в Киото, Япония.
Технология производства Samsung Sf3 (класс 3 нм) (которая будет представлена на заседании T1-2) будет использовать полевые транзисторы Multi-Bridge-Channel второго поколения компании (MBCFET). Эта новая технология производства основана на устройстве GAA первого поколения (SF3E), которое уже запущено в массовое производство.
Samsung утверждает, что по сравнению с SF4 (4LPP, класс 4), SF3 предлагает на 22% более высокую производительность при той же мощности и количестве транзисторов, снижение энергопотребления на 34% при тех же тактовых частотах. Однако Samsung не сравнивает свой SF3 с SF3E и нет ни слова о масштабировании SRAM и аналоговой схемы.
Одним из основных преимуществ транзисторов GAA по сравнению с устройствами FinFET является меньший ток утечки, поскольку их затвор окружен каналом со всех четырех сторон. Кроме того, толщину канала можно регулировать для повышения производительности или снижения энергопотребления.
Теперь Samsung заявляет, что платформа SF3 предлагает большую гибкость конструкции, обеспечиваемую различной шириной нанолистов (NS) устройства MBCFET в пределах одного и того же типа ячейки. Неясно, означает ли это, что исходный SF3E лишен одной из ключевых возможностей транзисторов GAA, но формулировка Samsung, по крайней мере, подразумевает это.
Изображение, которое Samsung демонстрирует в своей статье, показывает повреждение верхней части нанолиста, поэтому мы можем предположить, что одним из аспектов, которые компания затронет, являются производственные проблемы, с которыми она столкнулась на своем производственном узле SF3E на основе GAA.
Интересно, что недавно компания признала, что ее производственные процессы отстают от TSMC, и на то, чтобы наверстать упущенное, уйдет не менее пяти лет.
«Честно говоря, литейные технологии Samsung Electronics отстают от TSMC, – сказал на лекции д-р Ке Хён Гён, глава подразделения Samsung Electronics Device Solutions, отвечающего за бизнес-подразделения Memory, System LSI и Foundry. в Корейском передовом институте науки и технологий (KAIST), согласно Hankyung (через @Tech_Reve). «Мы можем превзойти TSMC в течение пяти лет».
Самым передовым для производства сложных однокристальных систем для смартфонов и других ресурсоемких приложений является SF4 (4LPP, 4 нм). Тем не менее, компания признает, что она значительно отстает от узла N3 (N3B) TSMC, который, как сообщается, используется для создания некоторых сложных SoC Apple. Согласно разъяснению @Tech_Reve, Samsung стремится сократить разрыв с N3 и N4P от TSMC с помощью своей технологии SF4P (4LPP+), которая, как ожидается, будет готова к производству в конце этого года.
Благодаря SF3 (3GAP), узлу на базе MBCFET 2-го поколения, Samsung Foundry может получить больше шансов конкурировать с передовым узлом TSMC в 2024 году. Однако ожидается, что к тому времени TSMC также представит свою технологию производства N3P.
В Samsung уверены, что переход на GAA-транзисторы в 2022-2023 годах был мудрым шагом, поскольку он позволит контрактному производителю микросхем решить любые проблемы с новой архитектурой раньше конкурентов, таких как Intel и TSMC. Следовательно, когда эти конкуренты начнут производить чипы, используя свои 20A, N2 (класс 2 нм) в 2024-2025 годах и потенциально столкнутся с теми же проблемами, которые Samsung решает сейчас, Samsung полагает, что их узел SF2 обеспечит превосходный баланс мощности, производительности и затрат.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор лучших видеокарт для игр. Выбрать лучшую видеокарту для игр непросто – для кого-то лучшей может быть самая доступная видеокарта, для других самая производительная. Мы стараемся учитывать все факторы и публикуем ежемесячно обновляемый материал, в котором стараемся рекомендовать действительно лучшую видеокарту для игр в любой ценовой категории – от дешевле $100 до топового сегмента. Подробнее об этом читайте в статье “Лучшая видеокарта для игр: текущий анализ рынка”.
