Недавно старший вице-президент Xiaomi Ван Сян (Wang Xiang) подтвердил, что будущий флагман Xiaomi Mi 9 будет оснащен чипсетом Qualcomm Snapdragon 855. Также на свое страничке в Twitter Ван опубликовал результаты тестирования смартфона в бенчмарке AnTuTu.
В частности, Xiaomi Mi 9 удалось набрать 387 851 балл. Этот результат выше, чем у Lenovo Z5 Pro GT (368 480 баллов), который стал первым смартфоном в мире на чипсете Snapdragon 855. Также новинка превзошла результаты флагмана Samsung Galaxy S10 (326 185 баллов), который получит чипсет Exynos 9820 или Qualcomm Snapdragon 855 в зависимости от региона. В результате, будущий Xiaomi Mi 9 установил новый рекорд и занял лидирующие позиции.
Напомним, что анонс Xiaomi Mi 9 состоится 20 февраля. Ожидается, что смартфон получит безрамочный дисплей. Кроме того, Xiaomi Mi 9 будет оснащен тройной задней камерой, которая, по слухам, будет включать в себя основной 48 Мп сенсор, датчик 3D ToF и сверхширокоугольный датчик. Как уже упоминалось выше, в основе Xiaomi Mi 9 будет лежать чипсет Snapdragon 855. Предполагается, что будут доступны три конфигурации памяти: 8 Гбайт + 128 Гбайт, 10 Гбайт + 256 Гбайт, 12 Гбайт + 512 Гбайт. Емкость батареи неизвестна, но по слухам, девайс получит поддержку 27 Вт быстрой зарядки.
Ранее редакция THG.ru опубликовала предварительный обзор Samsung Galaxy M20. Galaxy M20 - 6,3-дюймовый безрамочный бюджетник среднего уровня с хорошими камерами, батареей высокой ёмкости, быстрой зарядкой и довольно интересным соотношением цены и качества, что непривычно для Samsung. Подробнее об этом читайте в статье "Предварительный обзор Samsung Galaxy M20: молодёжный и доступный".
